为满足2N光功率分配器的制作和应用的需求,对宽带集成化22 3dB耦合器进行了深入的理论和实验研究。采用3-D光束传播法,对传统的非对称X结进行了模拟改进,设计了低损耗且具有较宽工作带宽的22 3dB耦合器。采用Ag+-Na+离子交换技术在玻璃基上成功制作了非对称X结结构的宽带22 3dB耦合器。通过对1260nm~1360nm和1460nm~1600nm两个波段宽带光源的光谱测试,得到在宽带范围内小于4.0dB的插入损耗,光谱谱线相对平坦,波长依赖性较小,均匀性小于0.5dB。结果表明,采用这种非对称X结并结合离子交换工艺,可以在玻璃基上制作出宽带的22 3dB耦合器,这为进一步优化器件性能,研制成功具有应用价值的器件奠定了基础。