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对称双缺陷光子晶体的缺陷模规律

马骥 黄正逸 沈小明 陈宪锋

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对称双缺陷光子晶体的缺陷模规律

    作者简介: 马骥(1979- ),男,讲师,主要从事光学材料方面的研究.E-mail:angelo_ma@sina.com.
  • 基金项目:

    江苏省高校自然科学基础研究面上资助项目(07KJD140036);江苏工业学院理工扶持基金资助项目(JS200802)

  • 中图分类号: O431.2

Defect modes of photonic crystal with symmetric double defects

  • CLC number: O431.2

  • 摘要: 为了了解对称双缺陷光子晶体的传输特性,采用传输矩阵法进行了数值模拟研究。当两缺陷层中间的介质层数目大于缺陷两外侧介质层总数时,在禁带中只出现单一的缺陷模,且其透射率随它们的差异的增大而迅速减小;但当中间的介质层数目小于两外侧介质层总数时,在禁带中将会出现两个透射率为1的缺陷模,且两缺陷模的间距随它们的差异的增大而增大。结果表明,缺陷层的位置对缺陷模的影响较大,要使缺陷层中的局域电场得到有效提高,必须使缺陷层靠近光子晶体的正中心。
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-14
  • 录用日期:  2009-07-10
  • 刊出日期:  2010-05-25

对称双缺陷光子晶体的缺陷模规律

    作者简介: 马骥(1979- ),男,讲师,主要从事光学材料方面的研究.E-mail:angelo_ma@sina.com
  • 1. 江苏工业学院 数理学院 常州 213164
基金项目:  江苏省高校自然科学基础研究面上资助项目(07KJD140036);江苏工业学院理工扶持基金资助项目(JS200802)

摘要: 为了了解对称双缺陷光子晶体的传输特性,采用传输矩阵法进行了数值模拟研究。当两缺陷层中间的介质层数目大于缺陷两外侧介质层总数时,在禁带中只出现单一的缺陷模,且其透射率随它们的差异的增大而迅速减小;但当中间的介质层数目小于两外侧介质层总数时,在禁带中将会出现两个透射率为1的缺陷模,且两缺陷模的间距随它们的差异的增大而增大。结果表明,缺陷层的位置对缺陷模的影响较大,要使缺陷层中的局域电场得到有效提高,必须使缺陷层靠近光子晶体的正中心。

English Abstract

参考文献 (12)

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