磁控溅射制备Zr膜的应力研究

曹鸿; 张传军; 王善力; 褚君浩

doi:10.3969/j.issn.1001-3806.2012.06.008

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磁控溅射制备Zr膜的应力研究

曹鸿 , 张传军 , 王善力 , 褚君浩

文章导航 > 激光技术 > 2012 > 36(6): 742-744

引用本文:

Citation:

磁控溅射制备Zr膜的应力研究

1.
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海200083;
2.
上海太阳能电池研究与发展中心, 上海201201

作者简介: 曹鸿(1977- ),女,博士后,主要从事短波长软X射线滤光膜的研究。E-mail:hongcao0606@yahoo.com.cn.

中图分类号: O484.2

Residual stress of Zr thin film deposited by magnetic sputtering

1.
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;
2.
Shanghai Center for Photovoltaics, Shanghai 201201, China
CLC number: O484.2

摘要: 为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。
- 薄膜 /
- 自支撑 /
- 应力 /
- 磁控溅射 /
- 探针轮廓仪
Abstract: In order to study stress distribution in Zr films prepared by magnetron sputtering,after measuring the profile of the substrate before and after the coating,the stress distribution in the Zr film was calculated and the relationship between the work pressure,Zr film thickness and residual stress was studied.The results show that it is mainly uneven compressive stress in the Zr thin films.Work pressure has little effect on the residual stress of Zr thin films.Thickness of Zr thin films has greater influence on the residual stress,with increase of thickness,film stress decreases.
- thin films /
- free-standing /
- stress /
- magnetic sputtering /
- stylus profiler

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磁控溅射制备Zr膜的应力研究

作者简介: 曹鸿(1977- ),女,博士后,主要从事短波长软X射线滤光膜的研究。E-mail:hongcao0606@yahoo.com.cn

1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海200083;
2. 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海201201

收稿日期: 2012-01-09
录用日期: 2012-01-16
网络出版日期: 2012-11-25

关键词:

摘要: 为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。