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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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Zn0.95-xBe0.05MnxSe稀磁半导体的光谱特性分析

付奎 娄本浊 孙彦清 龙姝明 黄朝军

引用本文:
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Zn0.95-xBe0.05MnxSe稀磁半导体的光谱特性分析

    作者简介: 付奎(1961-),男,副教授,主要从事基础物理学的应用研究。E-mail:fukui_1961@163.com.
  • 中图分类号:

    O433.4

Analysis of spectral characteristics of Zn0.95-xBe0.05MnxSe diluted magnetic semiconductor

  • CLC number:

    O433.4

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-14
  • 录用日期:  2014-02-25
  • 刊出日期:  2015-01-25

Zn0.95-xBe0.05MnxSe稀磁半导体的光谱特性分析

    作者简介: 付奎(1961-),男,副教授,主要从事基础物理学的应用研究。E-mail:fukui_1961@163.com
  • 1. 汉中职业技术学院 机电工程系, 汉中 723000;
  • 2. 陕西理工学院 物理与电信工程学院, 汉中 723000

摘要: 为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe (x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。

English Abstract

参考文献 (11)

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