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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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复合外延工艺为晶体生长提供新的途径

于祖兰

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复合外延工艺为晶体生长提供新的途径

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出版历程
  • 刊出日期:  1993-07-25

复合外延工艺为晶体生长提供新的途径

  • 1. 

摘要: 金属有机物气相外延同氢化物相外延相结合的晶体生长工艺可以用来制作磷化铟(Inp)优质器件。美国新泽西州普林斯顿的Epltaxx公司的开发人员报导了这种优质n型层在室温和77K条件下,迁移率分别为2700和3400cm~2/Vs,生长速率约为8μm/h,生长温度在580℃~650℃之间。

English Abstract

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