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系统采用THORLABS公司的ASE宽带光源,1分2光纤耦合器,SOIL公司的BSIL-GS602型光纤光栅解调仪,表面黏贴型FBG传感探头。将FBG探头按照待测工件曲率分布梯度线均匀分布在待测表面上。工件的材质为合金铝,实验系统如图 3所示。
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将FBG阵列按照所设计的结构形式进行排布,每条梯度线上分布3个探头,以顶点右侧面载力的测试数据为例,9个探头的应变测试数据如表 1所示。数据分析表中分别给出仿真分析值、应变测试验算值以及光学扫描测试值。
FBG
No.wavelength
shift/
nmsimulation
result/
mmmicro-
displacement/
mmoptical scan
test value/
mmrelative
error/
%1 0.048 0.005 0.006 0.0055 9.1 2 1.324 0.214 0.244 0.2237 8.7 3 0.154 0.021 0.024 0.0221 8.6 4 0.624 0.137 0.141 0.1359 3.8 5 2.547 0.512 0.533 0.5047 5.6 6 0.445 0.120 0.132 0.1415 6.7 7 0.414 0.125 0.118 0.1288 8.4 8 1.643 0.351 0.347 0.3621 4.2 9 0.158 0.042 0.046 0.0429 7.2 Table 1. Strain data of FBG
如表 1所示,工件不同位置上对外加施力点的波长响应是不同的,其反映的微应变量也存在很大差异,故其微位移量也是根据不同位置而具有不同特性的。FBG序号从耦合器进入端开始顺序标识(No.1~No.9)。在以顶点右侧面载力条件下,斜线向下的曲率分布的3根FBG探头而言,5号波长偏移量最大,达到2.547nm,形成0.523mm的微位移,3号与7号亦有变化,但由此可见微位移改变量并不完全取决于距施力点的距离,与工件面形曲面位置也有关,该曲率梯度线上微位移量平均误差为0.012mm。底面曲率分布的3根FBG探头而言,6号波长偏移量最大,达到0.445nm,形成0.132mm的微位移,3号与9号变化基本一致,可见在平面条件下,应变场主要受到施力点与测试点距离的影响,该曲率梯度线上微位移量平均误差为0.009mm。直线向上的曲率分布的3根FBG探头而言,8号波长偏移量最大,达到1.643nm,形成0.347mm的微位移,7号与4号、1号应变量与位移量相近,可见曲面位置上对微位移量的影响主要由曲率决定。实验中测得最大波长偏移量为1.324nm, 2.547nm和1.643nm,其分别对应的位移偏移量为0.244mm,0.523mm和0.347mm。将应变验算数据与光学精密测量数据对比可知,其相对误差均小于10%,应变数据可以有效反应结构形变。由实验数据可知,系统微位移量与应变FBG获取的波长偏移量具有函数关系,即可通过解调计算波长偏移量值实现对复杂面形应变场的检测。
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根据FBG阵列获取的应变场分布测试数据可知,不同位置的外部施力会使工件产生变形,形变的量级受作用力大小、施力位置、曲面形态等所决定。根据波长偏移量与微位移量测试数据绘制的函数曲线如图 4所示。
在此基础上,对FBG阵列的位移偏移量测试数据与仿真数据进行误差分析,结果如图 5所示。
如图 5可知,第1组FBG阵列(No.1~No.3)中位移偏移量平均误差是0.016nm,第2组FBG阵列(No.4~No.6)中位移偏移量平均误差是0.009nm,第3组FBG阵列(No.7~No.9)中位移偏移量平均误差是0.009nm。分析认为,包含拱面的测试数据误差相对较大,而平面部分的测试数据误差较小,系统总体平均误差符合要求。