选用λ=1.55μm通讯工作波长, 首先通过有限元数值计算方法求解弱项亥姆霍兹方程[8, 12-13]:
式中, H代表磁场, ${{{\tilde {\mathit{\boldsymbol{H}}}}^*}}$为磁场H的复共轭, V为体积, c为光速, ε是有效介电常数, α为弱项因子, 以此来确定模场分布。在球坐标(r, θ, φ)中, 回音壁模式绕赤道面顺时针或逆时针方向传播, 模场相位分量由exp(imφ)决定, 其中m表示模式径向阶数。而模式有效折射率谐振由相位匹配条件Neff=mλ/(2πR)决定。微瓶的结构有多种模式, 图 2是通过模拟仿真计算出的基模、二阶径向模式和二阶切向传输模式的光场分布图。这里将径向模式和切向模式分别由(q=1, 2, 3, …)和(l=1, 2, 3, …)表示, 其中基模和二阶模较为常用, 是由于基模和二阶模更利于锥形光纤耦合[8], 并且微泡壁厚对模式特性影响较大, 壁厚太薄时(如小于一个工作波长)高阶模不一定产生。由下图可知, 基模和二阶径向模的能量分布主要集中在赤道面处而二阶切向模式能量分布偏离赤道面, 因此, 当赤道面处内壁厚度不变而微泡曲率发生改变时曲率对切向高阶模式影响很大。
回音壁模式的主要损耗包括辐射损耗(倏逝波损耗)、材料吸收损耗和表面粗糙损耗。采用熔融方法能有效降低表面粗糙损耗, 为了模拟实际情况, 把材料吸收作为一个附加的虚部εi=-3.56×10-10引入材料介电常数。并在模拟的时候引入一个完全匹配层(perfectly matched layers, PML), 作为各向异性吸收器, 能实现在有限计算空间内模拟辐射到无穷远倏逝波。品质因子Q的计算公式为:
式中, fr是本征(复数)频率。实部表示谐振频率, 虚部表示本征损失。Q值越大说明微腔储存光子能量能力越强, 反之则越弱, 是衡量微腔性能优劣的一个重要参量。先以空气为核芯介质研究微瓶回音壁模式特征。由参考文献[10]可知, 当微泡的壁厚为1μm时更有利于传感, 能保持较高分辨率和灵敏度, 且不易破裂, 易于制作。为此这里选用赤道面处壁厚为1μm, 外壁曲率平方Δk12=0.0035时, 内壁曲率的平方Δk22=0.005时微瓶。在不同切向模式下, 品质因子Q随膨胀半径R变化趋势如图 3所示。膨胀半径R<19μm时, 3种切向模式Q值均随膨胀半径R增大而增大, 这是由于此时微瓶尺寸较小, 辐射损耗占主导, 材料损耗相对比较小可以忽略。当膨胀半径R>19μm时, 3种切向模式下微瓶Q值均趋于饱和, 此时膨胀半径较大, 辐射损耗较小, 模式的Q值主要由材料损耗决定。切向高阶模(如二阶模和三阶模)Q值始终高于一阶模, 且先达到饱和, 这是由于高阶模式下模场中心不全部在赤道面处, 受壁厚影响, 一般情况下壁厚越大Q值也越高[8]。
图 4是在膨胀半径R=12μm时, 切向不同模式下Q值随着曲率变化情况。图 4a中, 赤道面处壁厚为1μm, 固定外壁的曲率平方Δk12=0.0035, 可以看出, 相同半径时Q值并不总是随曲率的增大而增大。当膨胀半径R较小时, 如R=12μm, 切向二阶模存在一个Q值极大的点, 此时内壁的曲率平方Δk22=0.008, 之后Q值随Δk22的变大而降低; 切向三阶模在R=12μm时同样具有类似的规律, Δk22<0.007时Q值单调递增, 之后Q值随Δk22变大而降低。对比3种模式可以看出, 当曲率改变时, 切向高阶模Q值变化大于一阶模。这是由于内壁曲率变大时, 切向高阶模(处于赤道面以外)所在壁厚变厚, 从而模式Q值变大, 而Q值受辐射损耗和材料损耗共同影响, 高阶模处于非赤道面处势必导致模式所在半径发生变化, 从而辐射损耗和材料损耗存在一个折中产生模式最佳曲率, 有一个极大值。而一阶模处于赤道面处, 所在壁厚始终保持不变, 故受曲率的影响较小。图 4b中, 赤道面处壁厚为1μm, 固定外壁的曲率平方Δk12=0.007, 显然与图 4a有相同的趋势, 其中星号点代表RΔk=1即微瓶成为微气泡[9], 一阶模Q值高达5.5×106。
液芯微泡的研究更有意义[14], 下面讨论液芯下微瓶状微泡回音壁模式特征。由参考文献[8]~参考文献[10]可知, 曲率Δk的不同对其模场分布及谐振波长偏移有很大的影响; 且液芯时, 微瓶的壁厚对其模式影响很大, 当微瓶壁非常厚时, 模式大部分电磁场在壁中传播; 随着壁厚减小, 更多电磁场耦合进核芯中。这里对不同曲率不同壁厚液芯微瓶进行数值模拟, 核芯的介电常数被液体取代(例如水的介电常数εreal=1.332=1.7698)。由以下公式可计算出模式在核芯中电磁场所占的比例:
式中, w(r)是能量密度, H(r), E(r), ε(r)和μ0分别是磁场强度、电场强度、介质介电常数和真空磁导率[15]。
图 5描述了在膨胀半径R=25μm, Δk12=0.0035, Δk22分别为0.004和0.005时, TM基模和切向二阶模下微瓶核芯光场所占百分比随赤道面处壁厚变化规律。可以看出, 核芯能量百分比随赤道面处壁厚增大而减小, 壁越厚则越多能量处于壁中。内壁表面曲率Δk2越小, 核芯百分比所占能量越大。对比两种模式, 显然在壁厚小于一个工作波长时, Δk2发生改变时, 切向二阶模所受影响大于一阶模。