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第1.3节中通过改变耦合腔附近第1排介质柱的比例,虽然有效地降低了导模群速度,但是却增大了群速度色散,使得符合传输条件的有效带宽不断减小。为了比较复合结构耦合腔波导在不同波长范围内的低色散慢光特性,可以引入归一化延时带宽积(normalized delay banduidth product, NDBP)NDBP作为衡量指标。定义慢光的平均群折射率$ {\tilde n_{\rm{g}}} = \sum {n_{{\rm{i, g}}}}({\lambda _{\rm{i}}})/N $和相应的波长带宽为Δλ=λmax-λmin,群折射率平坦率$ \sigma = ({n_{{\rm{g, max}}}} - {n_{{\rm{g, min}}}})/(2{\tilde n_g})$,规定群折射率平坦率σ≤10%,即群折射率ng在(1±10%)ñg范围内为低色散的慢光传输区域。NDBP可以表示为NDBP=ngΔλ/λ0,λ0为中心波长。
从表 1可以看出,当保持缺陷行介质柱短轴不变时,长轴取0.45a和0.43a可以得到较大的NDBP,比Ra=0.48a时的NDBP提高约19.69%,长轴为0.43a时,平坦导模的群折射率最大,同时NDBP也达到最大值0.3484。当缺陷行长轴Ra取0.43a、调整短轴Rb值为0.17a和0.18a时,可进一步增大群折射率。本文中取Rb=0.18a,相应的低色散区的波长范围为4.40nm。此时减小Se/Ss的值,虽然可以得到更高的群折射率,但是导模的带宽值也相应减小,这与1.3节中的结果相符合。当Se/Ss从1.40减小到1.34时,NDBP的值基本保持不变,而当Se/Ss从1.34减小到1.28时,NDBP值降低,导模的群速度和色散特性有所下降。可以得出:当Se/Ss=1.34时,导模的群折射率取得最大值166.00,此时的低色散波长范围为3.25nm,延迟带宽积NDBP=0.3480,该光子晶体耦合腔可以传输宽带低色散慢光。
parameters in defeat line Se/Ss λ0/nm ng Δλ/nm NDBP Ra Rb 0.47a 1568.42 81.44 5.60 0.2910 0.45a 1563.89 99.09 5.50 0.3482 0.43a 0.20a 1560.71 105.97 5.13 0.3484 0.41a 1558.18 103.06 5.25 0.3476 0.39a 1.40 1555.72 92.79 5.81 0.3470 0.19a 1556.94 116.04 4.67 0.3480 0.18a 1553.63 122.69 4.40 0.3475 0.17a 1555.05 124.12 4.33 0.3469 0.16a 1547.39 118.48 4.51 0.3460 0.43a 1.40 1553.63 122.69 4.40 0.3475 1.37 1552.92 142.44 3.79 0.3479 0.18a 1.34 1552.30 166.00 3.25 0.3480 1.31 1551.77 191.34 2.36 0.2917 1.28 1551.29 223.80 2.02 0.2918 Table 1. Slow light property with the change of parameters
可以用缓存时间Ts和存储容量C描述该耦合腔的缓存特性。定义缓存长度L=60l,l为单个耦合腔的宽度,缓存时间$ {T_{\rm{s}}} = \frac{L}{{{v_{\rm{g}}}}} = L{n_{\rm{g}}} $,存储容量$ C = \frac{L}{{{v_{\rm{g}}}}} \times \frac{{\Delta {\omega _0}}}{{4{\rm{ \mathsf{ π} }}}} = \frac{L}{{c/{n_{\rm{g}}}}}\frac{{c\Delta \omega }}{{2a}} = \frac{L}{{2a}}{n_{\rm{g}}}\Delta \omega $,其中Δω0为波导中缺陷模式的带宽,Δω为导模的归一化带宽,耦合腔的品质因子Q=ω0/Δω=λ0/Δλ。Se/Ss从1.40减小到1.28的过程中,对应的光缓存参量如表 2所示。随着Se/Ss减小,耦合腔的缓存时间和品质因子有着明显的增大,当Se/Ss从1.40变化到1.34时,存储容量增大了0.04bit,当Se/Ss从1.34变化到1.31时,存储容量减小1.81bit。由实验分析发现,当Se/Ss=1.34时,耦合腔波导具有良好的慢光缓存能力,此时的存储容量达到最大值15.56bit,品质因子为452.75,缓存时间达到了76.82ps。
Ra, Rb in defeat line Se/Ss vg, max/c Q C/bit Ts/ps Ra=0.43a,Rb=0.18a 1.40 0.0088 353.01 15.52 56.78 1.37 0.0076 409.46 15.55 65.92 1.34 0.0065 476.92 15.56 76.82 1.31 0.0056 655.90 13.75 88.56 1.28 0.0047 766.92 13.06 103.57 Table 2. Buffer property with the change of Se/Ss
参考文献[18]中通过平移耦合腔波导两侧散射元优化波导慢光特性,得到最大群折射率为142.6,带宽为2.16nm,归一化延时带宽积为0.1956,本文中实现的群折射率为166.00,比之增大了16.4%,导模有效带宽为3.25nm,增大了50.5%,归一化延迟带宽积为0.3480,改善了77.9%。参考文献[19]中通过改变耦合腔之间介质柱数目与改变第1排介质柱平移量相结合的方法,实现了群速度最大值为0.03c的慢光,本文中耦合腔波导结构得到的群速度最大值为0.0065c,比之降低了一个数量级。