外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

房启鹏; 詹小红; 梁一平; 蒋茂华; 朱仁江; 吴建伟; 张鹏

doi:10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2014.05.021

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外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

房启鹏 , 詹小红 , 梁一平 , 蒋茂华 , 朱仁江 , 吴建伟 , 张鹏

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引用本文:

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外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

1.
重庆师范大学物理与电子工程学院重庆市高校光学工程重点实验室, 重庆 400047

作者简介: 房启鹏（1987-），男，硕士研究生，主要从事激光单元器件及技术方面的研究。.

通讯作者: 张鹏, zhangpeng2010@cqnu.edu.cn

基金项目:
重庆市自然科学基金资助项目（cstc2011jjA40015）;重庆市教委科技研究基金资助项目（KJJ130630）
中图分类号: TN248.4

Acid etching of GaAs substrate of external-cavity surface-emitting laser

1.
Chongqing High Education Key Laboratory of Optical Engineering, College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing 400047, China

Corresponding author: ZHANG Peng, zhangpeng2010@cqnu.edu.cn

CLC number: TN248.4

摘要: 外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大，热导率低，严重阻碍有源区热量的扩散，影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质，采用硫酸系酸性腐蚀，通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响，并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明，当腐蚀液的体积比V（H2SO4）：V（H2O2）：V（H2O）=1：5：10，腐蚀温度为30℃时，腐蚀速率适中，为5.2μm/min，腐蚀表面粗糙度2.7nm，腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。
- 激光器 /
- 外腔面发射激光器 /
- 酸性腐蚀 /
- GaAs基质
Abstract: Because of the large thickness and low thermal conductivity of GaAs substrate in external-cavity surface-emitting laser, the heat diffusion of active region is seriously impeded and the laser output power is difficult to improve. In order to remove the GaAs substrate, sulfate acid corrosion was used. The corrosion effects were compared with different concentration etching liquid at different temperature. Atomic force microscope photos were used to represent the roughness of etching surface. The results show that when the volume ratio of the etching liquid V(H2SO4)：V(H2O2)：V(H2O) is 1：5：10 and the temperature is 30℃, the moderate etching rate about 5.2μm/min and the 2.7nm roughness of etching surface is obtained. The good etching effect of GaAs substrate provides the basic guarantee for the next step of the substrate removal-selective etch of the stop-layer.
- lasers /
- external-cavity surface-emitting laser /
- acid etching /
- GaAs substrate

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外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

通讯作者: 张鹏, zhangpeng2010@cqnu.edu.cn

作者简介: 房启鹏（1987-），男，硕士研究生，主要从事激光单元器件及技术方面的研究。

1. 重庆师范大学物理与电子工程学院重庆市高校光学工程重点实验室, 重庆 400047

收稿日期: 2013-11-18
录用日期: 2013-12-20
网络出版日期: 2014-09-25

基金项目: 重庆市自然科学基金资助项目（cstc2011jjA40015）;重庆市教委科技研究基金资助项目（KJJ130630）

关键词:

摘要: 外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大，热导率低，严重阻碍有源区热量的扩散，影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质，采用硫酸系酸性腐蚀，通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响，并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明，当腐蚀液的体积比V（H2SO4）：V（H2O2）：V（H2O）=1：5：10，腐蚀温度为30℃时，腐蚀速率适中，为5.2μm/min，腐蚀表面粗糙度2.7nm，腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。