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多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究

杨亚军 李清山 刘宪云

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多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究

    作者简介: 杨亚军(1976- ),男,硕士研究生,主要从事发光材料光谱研究..
    通讯作者: 李清山, qsl@imail.qfnu.edu.cn
  • 基金项目:

    山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)

  • 中图分类号: O472

Study on properties of electroluminescence from porous silicon heterojunction device

    Corresponding author: LI Qing-shan, qsl@imail.qfnu.edu.cn ;
  • CLC number: O472

  • 摘要: 多孔硅电致发光性质的研究对于实现硅基光电集成具有重要的应用价值。采用蒸镀-阳极氧化法制备了多孔硅异质结(ITO/PS/p-Si/Al)电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,并给出了该器件的发光和电学性能的测量结果。结果表明,要制备较好发光性能和伏安特性的多孔硅电致发光器件,顶部电极应同时具有较高的透光率和电导率。
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-20
  • 录用日期:  2006-03-24
  • 刊出日期:  2007-04-25

多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究

    通讯作者: 李清山, qsl@imail.qfnu.edu.cn
    作者简介: 杨亚军(1976- ),男,硕士研究生,主要从事发光材料光谱研究.
  • 1. 曲阜师范大学, 物理工程学院, 曲阜, 273165
基金项目:  山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)

摘要: 多孔硅电致发光性质的研究对于实现硅基光电集成具有重要的应用价值。采用蒸镀-阳极氧化法制备了多孔硅异质结(ITO/PS/p-Si/Al)电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,并给出了该器件的发光和电学性能的测量结果。结果表明,要制备较好发光性能和伏安特性的多孔硅电致发光器件,顶部电极应同时具有较高的透光率和电导率。

English Abstract

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