影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

卢静; 罗斌; 潘炜; 罗广军; 李建平; 蔺玉珂

高级检索

ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

卢静 , 罗斌 , 潘炜 , 罗广军 , 李建平 , 蔺玉珂

文章导航 > 激光技术 > 2007 > 31(5): 496-499,502

引用本文:

Citation:

影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

1.
西南交通大学信息科学与技术学院成都 610031

作者简介: 卢静(1981- ),女,硕士研究生,从事光通信与光放大器方面的研究..

通讯作者: 罗斌, bluo@home.swjtu.edu.cn ;

中图分类号: TN248.4

Analysis of influencing factors on gain saturation property of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers

1.
School of Information Science & Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China

Corresponding author: LUO Bin, bluo@home.swjtu.edu.cn ;

CLC number: TN248.4

摘要: 为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素。并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据。结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm。这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的。
- 光通信 /
- 垂直腔半导体光放大器 /
- 速率方程 /
- 增益饱和
Abstract: In order to improve the gain saturation property of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers(VCSOAs),based on the structure character,applying gain enhancement factor and modifying the boundary condition,the relation between input signal power and photon density was derived to study the gain saturation property.The calculation result was agreement with the experiment.Four factors affecting property of gain saturation were obtained.The results showed that the active region area,top mirror reflectivity,pump power,spontaneous emission factor affected the property of gain saturation.After optimizing the parameter,the input saturation power could arrive-2dBm.It is useful to improve the gain saturation property of VCSOAs.
- optical communication /
- VCSOAs /
- rate equation /
- gain saturation

[1]	TOMBLING C,SAITOH T.Performance prediction for vertical-cavitysemiconductor laser amplifiers[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,1994,30(11):2491～2499.
[2]	KARLSSON A,HOIJER M.Analysis of a VCLAD:vertical-cavity laser amplifier detector[J].IEEE Photonics Technology Laser,1995,5(11):1336～1338.
[3]	PIPREK J,BJöRLIN S E,BOWERS E J.Design and analysis of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2001,37(1):127～134.
[4]	ROYO P,KODA R,COLDREN A.Vertical cavity semiconductor optical amplifiers:comparison of fabry-perot and rate equation approaches.[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2002,38(3):279～284.
[5]	BJöRLIN S E.Carrier-confined vertical-cavity semiconductor opticalamplifiers for higher gain and efficiency[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2003,9(5):1374～1384.
[6]	ADAMS J M,COLLINS V J,HENNING D I.Analysis of semiconductor laser optical amplifiers[J].IEE Proceedings,1985,132(1):58～63.
[7]	SAITOH T,MUKAI T.Theoretical analysis and fabrication of antireflection coatings on laser diode facets[J].IEEE Journal of Light-wave Technology,1985,3(2):288～293.
[8]	XU J H,LUO B,PAN W et al.Optical design of the gain bandwidth of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers based on the couple cavities[J].Laser Technology,2006,30(1):60～63(in Chinese).
[9]	GUO Ch Zh,CHEN Sh L.On micro cavity effect in vertical cavity surface emitting quantum well laser with multilayer hetero-structure reflectors[J].Acta Physica Sinica,1997,46(9):1731～1743(in Chinese).
[10]	ZHAO Zh,PAN W,LUO B et al.Numerical analyses on gain properties of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers[J].Laser & Infrared,2004,34(2):116～118(in Chinese).

[1]	卢静 , 罗斌 , 周刚 , 赵淑平 . 垂直腔半导体光放大器调谐输出特性分析. 激光技术, 2011, 35(2): 260-263. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.02.032
[2]	赵同刚 , 任建华 , 赵荣华 , 饶岚 , 王丽丽 , 林金桐 , 吴炜 , 郭永新 . 半导体激光器实现波长转换的理论和实验分析. 激光技术, 2005, 29(2): 216-218.
[3]	许江衡 , 罗斌 , 潘炜 , 贾习坤 , 汪帆 . 基于耦合腔的VCSOAs增益带宽优化. 激光技术, 2006, 30(1): 60-63.
[4]	贾习坤 , 罗斌 , 潘炜 , 姚海峰 , 曹昌胜 . 传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性. 激光技术, 2005, 29(4): 377-379,406.
[5]	秦张淼 , 罗斌 , 潘炜 . 垂直腔半导体光放大器增益的理论分析. 激光技术, 2006, 30(5): 452-454.
[6]	侯军辉 , 郭建强 , 王黎 , 高晓蓉 , 王泽勇 . 调Q开关对无线光通信中信号脉冲的影响. 激光技术, 2011, 35(2): 218-221,225. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.02.021
[7]	汪锋 , 饶炯辉 . 水下无线光通信系统中可变增益放大器的实现. 激光技术, 2012, 36(1): 99-102. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.01.025
[8]	崔迎超 , 张书练 , 冯金垣 . 半导体光放大器的增益特性和偏振特性. 激光技术, 2005, 29(5): 462-465,483.
[9]	金春来 , 胡晓东 , 王琦 , 张振生 , 章蓓 . GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量. 激光技术, 2005, 29(3): 284-286.
[10]	卢静 , 罗斌 . 垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析. 激光技术, 2019, 43(2): 174-178. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.02.005
[11]	王欣 , 罗斌 , 潘炜 , 李建平 . 传输矩阵法研究MEMS可调谐垂直腔半导体光放大器. 激光技术, 2007, 31(6): 630-633.
[12]	王刚 , 罗斌 , 潘炜 . 垂直腔半导体光放大器带宽特性研究. 激光技术, 2007, 31(2): 137-140.
[13]	金韬 , 黄德修 , 丘军林 . 脉冲形状对半导体激光放大器用于啁啾补偿的影响. 激光技术, 1995, 19(2): 110-114.
[14]	梅进杰 , 刘德明 , 黄德修 . 光纤喇曼放大器的功率转换效率分析. 激光技术, 2003, 27(4): 349-351,356.
[15]	白菊蓉 , 郭宇成 , 王彦本 . 一种改进的OFDM水下可见光无线通信系统. 激光技术, 2021, 45(5): 647-653. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2021.05.019
[16]	余晓秋 , 李明中 , 王建军 , 耿远超 , 许党朋 , 林宏奂 , 张锐 , 黄小东 . 增益导引折射率反导引大模场光纤激光器特性分析. 激光技术, 2011, 35(1): 25-28,78. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.01.008
[17]	李丰 , 潘炜 , 罗斌 , 陶原 , 江宁 , 邵宇挺 . 信道串扰对多信道混沌通信系统的影响. 激光技术, 2008, 32(4): 445-448.
[18]	邓诚先 , 李正佳 , 朱长虹 . 被动调Q腔内单共振光参变振荡器和Cr4+：YAG激光器. 激光技术, 2005, 29(6): 589-593.
[19]	陆洋 , 陈建国 , 李大义 . (双稳外腔)LD分析中扰动近似的有效性研究. 激光技术, 2002, 26(1): 26-28.
[20]	邓果 , 潘炜 , 罗斌 , 严云富 , 李孝峰 , 赵峥 . VCSOA中光双稳环宽控制的理论分析. 激光技术, 2005, 29(1): 74-76.

点击查看大图

计量

文章访问数: 4810
HTML全文浏览量: 609
PDF下载量: 772
被引次数: 0

影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

通讯作者: 罗斌, bluo@home.swjtu.edu.cn;

作者简介: 卢静(1981- ),女,硕士研究生,从事光通信与光放大器方面的研究.

1. 西南交通大学信息科学与技术学院成都 610031

收稿日期: 2006-06-12
录用日期: 2006-11-14
网络出版日期: 2007-10-25

关键词:

摘要: 为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素。并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据。结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm。这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的。