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影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

卢静 罗斌 潘炜 罗广军 李建平 蔺玉珂

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影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

    作者简介: 卢静(1981- ),女,硕士研究生,从事光通信与光放大器方面的研究..
    通讯作者: 罗斌, bluo@home.swjtu.edu.cn
  • 中图分类号: TN248.4

Analysis of influencing factors on gain saturation property of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers

    Corresponding author: LUO Bin, bluo@home.swjtu.edu.cn ;
  • CLC number: TN248.4

  • 摘要: 为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素。并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据。结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm。这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的。
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-12
  • 录用日期:  2006-11-14
  • 刊出日期:  2007-10-25

影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

    通讯作者: 罗斌, bluo@home.swjtu.edu.cn
    作者简介: 卢静(1981- ),女,硕士研究生,从事光通信与光放大器方面的研究.
  • 1. 西南交通大学 信息科学与技术学院 成都 610031

摘要: 为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素。并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据。结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm。这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的。

English Abstract

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