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相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

冯建辉 祝家清 刘圣广 姜孟瑞

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相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

    作者简介: 冯建辉,男,1972年12月出生.硕士.现在湖南长沙铁道学院数力系从事教学和自由电子激光的研究工作..

Analysis of feasibility of a FEL operation by radiation from relativistic electrons channeled tal in a crystal slab

  • 摘要: 采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件.导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-10-05
  • 录用日期:  1999-01-04
  • 刊出日期:  2000-01-25

相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

    作者简介: 冯建辉,男,1972年12月出生.硕士.现在湖南长沙铁道学院数力系从事教学和自由电子激光的研究工作.
  • 1. 华中师范大学物理系, 武汉, 430079

摘要: 采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件.导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性.

English Abstract

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