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垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

秦张淼 罗斌 潘炜

引用本文:
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垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

    作者简介: 秦张淼(1981- ),男,硕士研究生,现从事光通信方面的研究工作..
    通讯作者: 罗斌, hclu@home.swjtu.edu.cn
  • 基金项目:

    高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20030613007);国家自然科学基金资助项目(10174057)

  • 中图分类号: TN248.4

Theoretical analysis of the gain of vertical cavity semiconductor optical amplifier

    Corresponding author: LUO Bin, hclu@home.swjtu.edu.cn ;
  • CLC number: TN248.4

  • 摘要: 针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。
  • [1]

    DENG G,PAN W,LUO Bin et al.Theoretical analysis of the loopwidth control of bistablity in VCSOA[J].Laser Technology,2005,29(1):74~76(in Chinese).
    [2]

    TOMBLING C,SAITOH T,MUKAI T.Performance predictions for vertical-cavity semiconductor laser amplifiers[J].IEEE J Q E,1994,30(11):2491~2499.
    [3]

    PIPREK J,BJoRLIN E S,BOWERS J E.Design and analysis of vertical-cavity semiconductor optical amplifiers[J].IEEE J Q E,2001,37(1):127~134.
    [4]

    BJoRLIN E S,KIMURA T,BOWERS J E.Carrier-confined vertical-cavity semiconductor optical amplifiers for higher gain and efficiency[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2003,9(5):1374~1385.
    [5]

    ADAMS M J,COLLINS J V,HENNING I D.Analysis of semiconductor laser optical amplifiers[J].Proc IEEE,1985,132(1):58~63.
    [6]

    CORZINE S W,GEELS R S,SCOTT J W et al.Design of Fabry-Perot surface-emitting lasers with a periodic gain structure[J].IEEE J Q E,1989,25(6):1513~1524.
    [7]

    YONG J C L,RORISON J M,WHITE I H.1.3μm quantum-wellInGaAsP,AlGaInAs,and InGaAsN laser material gain:a theoretical study[J].IEEE J Q E,2002,38(12):1553~1564.
    [8]

    BJoRLIN E S,RIOU B,ABRAHAM P et al.Long wavelength vertical-cavity semiconductor optical amplifiers[J].IEEE J Q E,2001,37(2):274~281.
    [9]

    LEWEN R,STREUBEL K,KARLSSON A et al.Experimental demonstration of a multifunctional long-wavelength vertical-cavity laser amplifier-detector[J].IEEE Photonics Technology Letters,1998,10(8):1067~1069.
  • [1] 王刚罗斌潘炜 . 垂直腔半导体光放大器带宽特性研究. 激光技术, 2007, 31(2): 137-140.
    [2] 贾习坤罗斌潘炜姚海峰曹昌胜 . 传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性. 激光技术, 2005, 29(4): 377-379,406.
    [3] 王欣罗斌潘炜李建平 . 传输矩阵法研究MEMS可调谐垂直腔半导体光放大器. 激光技术, 2007, 31(6): 630-633.
    [4] 卢静罗斌 . 垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析. 激光技术, 2019, 43(2): 174-178. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.02.005
    [5] 许江衡罗斌潘炜贾习坤汪帆 . 基于耦合腔的VCSOAs增益带宽优化. 激光技术, 2006, 30(1): 60-63.
    [6] 黄光焰杨亚培戴基智李晓惠刘震成娟娟 . 增益玻璃波导光场的数值模拟. 激光技术, 2005, 29(1): 35-37.
    [7] 车继波杨亚培刘爽官周国薛辉 . Er3+/Yb3+共掺磷酸盐玻璃光纤放大器的增益综述. 激光技术, 2006, 30(1): 82-85.
    [8] 卢静罗斌周刚赵淑平 . 垂直腔半导体光放大器调谐输出特性分析. 激光技术, 2011, 35(2): 260-263. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.02.032
    [9] 刘建国贺少勃陈远斌尹强刘勇郭良福陈林曹丁象 . 掺钕无机惰性液体激光技术研究. 激光技术, 2010, 34(1): 20-21,44. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2010.01.006
    [10] 张新陆程元丽王骐 . X射线激光在柱状等离子体中的传播与放大. 激光技术, 2002, 26(3): 221-222.
    [11] 李晨张海洋赵长明张立伟杨苏辉杨宏志 . 光纤环路移频反馈激光器及放大器增益的研究. 激光技术, 2018, 42(2): 172-175. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2018.02.006
    [12] 卢静罗斌潘炜罗广军李建平蔺玉珂 . 影响VCSOAs增益饱和特性因素分析. 激光技术, 2007, 31(5): 496-499,502.
    [13] 徐贵勇胡立发邓灿冉张士勋楚广勇 . 基于迭代算法的半导体光放大器动态模型构建. 激光技术, 2020, 44(2): 255-260. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.02.021
    [14] 潘炜张晓霞罗斌吕鸿昌陈建国 . 环形谐振腔中结构特征参数的优化设计. 激光技术, 2003, 27(3): 229-232.
    [15] 金伟张海涛巩马理闫平杨欣张凯姜丰 . 无线光通信中的非成像集中器. 激光技术, 2003, 27(4): 311-316.
    [16] 张新陆王骐程元丽 . 毛细管放电软X射线激光传播的解析研究. 激光技术, 2002, 26(5): 392-393,397.
    [17] 邓果潘炜罗斌严云富李孝峰赵峥 . VCSOA中光双稳环宽控制的理论分析. 激光技术, 2005, 29(1): 74-76.
    [18] 李保志邹永刚 . 可调谐垂直腔面发射激光器. 激光技术, 2018, 42(4): 556-561. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2018.04.023
    [19] 段志春陈建国张利平周鼎富杨泽后 . 双包层光纤激光器速率方程的解析求解问题. 激光技术, 2007, 31(3): 274-276.
    [20] 刘冀鹏徐庆超陈建国周鼎富杨泽后 . 多点抽运光纤激光器速率方程组的近似解析解. 激光技术, 2007, 31(5): 526-529.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-30
  • 录用日期:  2006-03-23
  • 刊出日期:  2006-09-25

垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

    通讯作者: 罗斌, hclu@home.swjtu.edu.cn
    作者简介: 秦张淼(1981- ),男,硕士研究生,现从事光通信方面的研究工作.
  • 1. 西南交通大学, 信息科学与技术学院, 成都, 610031
基金项目:  高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20030613007);国家自然科学基金资助项目(10174057)

摘要: 针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。

English Abstract

参考文献 (9)

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