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垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

秦张淼 罗斌 潘炜

引用本文:
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垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

    作者简介: 秦张淼(1981- ),男,硕士研究生,现从事光通信方面的研究工作..
    通讯作者: 罗斌, hclu@home.swjtu.edu.cn
  • 基金项目:

    高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20030613007);国家自然科学基金资助项目(10174057)

  • 中图分类号: TN248.4

Theoretical analysis of the gain of vertical cavity semiconductor optical amplifier

    Corresponding author: LUO Bin, hclu@home.swjtu.edu.cn ;
  • CLC number: TN248.4

  • 摘要: 针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-30
  • 录用日期:  2006-03-23
  • 刊出日期:  2006-09-25

垂直腔半导体光放大器增益的理论分析

    通讯作者: 罗斌, hclu@home.swjtu.edu.cn
    作者简介: 秦张淼(1981- ),男,硕士研究生,现从事光通信方面的研究工作.
  • 1. 西南交通大学, 信息科学与技术学院, 成都, 610031
基金项目:  高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20030613007);国家自然科学基金资助项目(10174057)

摘要: 针对研究增益饱和时,现有的垂直腔半导体光放大器(VCSOA)速率方程模型在确定输入信号的功率注入因子方面存在难题,根据法布里-珀罗腔边界条件,从行波方程和与位置相关的载流子方程出发,引入随轴向位置发生变化的增益增长因子刻画微腔内的驻波效应,构建出VCSOA的增益模型。利用该模型通过求方程的自洽得到了腔内载流子、光子的分布,并分析了反射增益,其结果与已报道的理论及实验基本一致。

English Abstract

参考文献 (9)

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