激光处理GaN薄膜的研究

陶华锋; 杨忠孝; 宁永功; 屠晶景; 徐洪艳

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激光处理GaN薄膜的研究

陶华锋 , 杨忠孝 , 宁永功 , 屠晶景 , 徐洪艳

文章导航 > 激光技术 > 2005 > 29(6): 652-653,656

引用本文:

Citation:

激光处理GaN薄膜的研究

1.
电子科技大学, 微电子与固体电子学院, 成都, 610054

作者简介: 陶华锋(1979- ),男,硕士研究生,从事电子材料和光电子器件技术研究..

中图分类号: O484

The research of laser treatment of GaN thin film

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology, Chengdu 610054, China
CLC number: O484

摘要: 通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64 J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.
- GaN薄膜 /
- 损伤阈值 /
- 激光处理 /
- 缺陷密度
Abstract: Through laser damage experiment,the damage threshold of GaN thin film at 10.6μm is reported,i.e.64J/cm2.To improve the quality of GaN thin film,laser treating experiment is investigated by 10.6μm CO2 laser.The results show that the defect density is decreased great after treatment.Finally,treating mechanism is analyzed.
- GaN thin film /
- damage threshold /
- laser treatment /
- defect density

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