GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

金春来; 胡晓东; 王琦; 张振生; 章蓓

高级检索

ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

金春来 , 胡晓东 , 王琦 , 张振生 , 章蓓

文章导航 > 激光技术 > 2005 > 29(3): 284-286

引用本文:

Citation:

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

1.
北京大学, 物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京, 100871;
2.
北京大学, 宽禁带半导体研究中心, 北京, 100871

作者简介: 金春来(1980- ),男,硕士,现从事半导体光电子方面的研究..

通讯作者: 胡晓东, huxd@pku.edu.cn ;

基金项目:
国家八六三计划资助项目(2001AA313110);国家自然科学基金资助项目(60276010);北京市科技计划资助项目(H030430020230)
中图分类号: TN248.4

Measurement of optical gain and optical internal loss in GaN-based laser

1.
State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, Department of Physics, Peking University, Beijing 100871, China;
2.
Research Center for Wide Gap Semiconductors, Peking University, Beijing 100871, China

Corresponding author: HU Xiao-dong, huxd@pku.edu.cn ;

CLC number: TN248.4

摘要: 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。
- 放大的自发发射谱 /
- 变条长方法 /
- 光损耗 /
- 光增益 /
- 增益饱和
Abstract: To assess the performance of a semiconductor laser,knowledge of gain and loss at a known pumping level is essential.Both the gain and the loss coefficients were obtained through analyzing amplified spontaneous emission (ASE) measured with variable stripe length (VSL) method,and serious gain saturation phenomenon was observed in the process.The results confirm the feasibility of the VSL method in studying the performance of GaNLD samples.Performance of LDs with two different structures in gain and gain saturation were compared through VSL method,and the reason that leads to the differen ce was discussed.
- amplified spontaneous emission /
- variable strip elength method /
- optical loss /
- optical gain /
- gain saturation

[1]	OSTER A,ERBERT G,WENZEL H.Gain spectra measurements by a variable stripe length method with current injection [J].Electron Lett,1997,33(10):864～866.
[2]	THOMSON J D,SUMMERS H D,HULYER P J et al.Determination of single-pass optical gain and internal loss using a multisection device [J].A P L,1999,75(17):2527～2529.
[3]	KIMURA Y,ITO A,MIYACHI M et al.Optical gain and optical internal loss of GaN-based laser diodes measured by variable stripe length method with laser processing [J].Japan J A P,2001,40:L1103～L1106.

[1]	崔迎超 , 张书练 , 冯金垣 . 半导体光放大器的增益特性和偏振特性. 激光技术, 2005, 29(5): 462-465,483.
[2]	卢静 , 罗斌 , 潘炜 , 罗广军 , 李建平 , 蔺玉珂 . 影响VCSOAs增益饱和特性因素分析. 激光技术, 2007, 31(5): 496-499,502.
[3]	梅进杰 , 刘德明 , 黄德修 . 光纤喇曼放大器的功率转换效率分析. 激光技术, 2003, 27(4): 349-351,356.
[4]	金韬 , 黄德修 , 丘军林 . 脉冲形状对半导体激光放大器用于啁啾补偿的影响. 激光技术, 1995, 19(2): 110-114.
[5]	赵同刚 , 任建华 , 赵荣华 , 饶岚 , 王丽丽 , 林金桐 , 吴炜 , 郭永新 . 半导体激光器实现波长转换的理论和实验分析. 激光技术, 2005, 29(2): 216-218.
[6]	李猛 , 孙军强 , 刘德明 , 黄德修 . 增益饱和波长转换器消光比退化研究. 激光技术, 2001, 25(1): 76-79.
[7]	罗斌 , 武岚 , 李大义 , 卢玉村 , 陈建国 . 半导体光放大器增益曲线的测量. 激光技术, 1991, 15(1): 5-8.
[8]	黄光焰 , 杨亚培 , 戴基智 , 李晓惠 , 刘震 , 成娟娟 . 增益玻璃波导光场的数值模拟. 激光技术, 2005, 29(1): 35-37.
[9]	吴正茂 , 夏光琼 , 潘英俊 . SLA增益谱波长分布和漂移对皮秒光脉冲的影响. 激光技术, 2004, 28(6): 636-638.
[10]	何世昆 , 梁良 , 张玲 , 曹建建 . 缺陷为增益介质的光子晶体光放大特性的研究. 激光技术, 2012, 36(3): 368-371.
[11]	郑泽洲 , 张新亮 , 黄德修 . 半导体光放大器的超快动态增益特性. 激光技术, 2003, 27(3): 168-171.
[12]	秦张淼 , 罗斌 , 潘炜 . 垂直腔半导体光放大器增益的理论分析. 激光技术, 2006, 30(5): 452-454.
[13]	贾习坤 , 罗斌 , 潘炜 , 姚海峰 , 曹昌胜 . 传输矩阵法研究垂直腔半导体光放大器增益特性. 激光技术, 2005, 29(4): 377-379,406.
[14]	张明江 , 王云才 . 可调谐双波长低抖动增益开关光脉冲的产生. 激光技术, 2006, 30(2): 158-160.
[15]	刘玉佳 , 辛杰萍 , 万玲玉 , 蔡卓淮 . 宽视场高增益亚波长结构集光天线的优化设计. 激光技术, 2017, 41(1): 34-39. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.01.008
[16]	徐爱强译 , 胡守本译 , 陈天玉校 . 砷化镓场效应晶体管的高增益光探测. 激光技术, 1983, 7(1): 54-57,40.
[17]	梁宇龙 , 段发阶 . 基于密度聚类的光条中心线提取方法. 激光技术, 2020, 44(4): 459-465. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2020.04.011
[18]	杨爱玲 , 王晶 , 苗洪利 , 任志君 . 色散缓变光纤中交叉相位调制不稳定增益谱. 激光技术, 2003, 27(1): 44-46.
[19]	朱晓 , 杨克成 , 李再光 . 机载激光测深光电倍增管变增益探测方法. 激光技术, 1999, 23(4): 209-212.
[20]	卢益民 , 张峰 , 陈文革 . 激光水下目标探测系统中的PMT变增益控制. 激光技术, 1995, 19(4): 222-226.

点击查看大图

计量

文章访问数: 3380
HTML全文浏览量: 911
PDF下载量: 380
被引次数: 0

GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量

通讯作者: 胡晓东, huxd@pku.edu.cn;

作者简介: 金春来(1980- ),男,硕士,现从事半导体光电子方面的研究.

1. 北京大学, 物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京, 100871;
2. 北京大学, 宽禁带半导体研究中心, 北京, 100871

收稿日期: 2004-05-08
录用日期: 2004-06-01
网络出版日期: 2005-05-25

基金项目: 国家八六三计划资助项目(2001AA313110);国家自然科学基金资助项目(60276010);北京市科技计划资助项目(H030430020230)

关键词:

摘要: 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。