高级检索

ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

集成场效应晶体管光调制

蒋锐 曹三松

引用本文:
Citation:

集成场效应晶体管光调制

计量
  • 文章访问数:  3015
  • HTML全文浏览量:  599
  • PDF下载量:  227
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-03-25

集成场效应晶体管光调制

  • 1. 

摘要: 为了进一步发展Si光集成电路,卡塔亚大学、CNRIMM卡塔亚分公司、ST微电子公司和CNRIMM那波里分公司的研究人员们已经开发出一个硅基质光调制器,该调制器包括一个场效应晶体管。该晶体管和一个10μm宽硅波导一起集成在一个硅片上。调制器的光通道垂直于电通道内。当控制电极加上一个偏压,就可以将载流子等离子体移进或移出光通道。在通道中时,Si吸收了更多的光。发射光谱显示在不同的偏压下等离子体的分布(等离子体本身也会发射光,使之形状更显而易见)。计算机模拟与试验观察结果一致,通过注入10mA电流,输入电压在-10V~+10V之间变化,便可以获得调制。调制深度可以达到75%。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回