垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

朱文军; 郭霞; 廉鹏; 邹德恕; 高国; 沈光地

高级检索

ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

朱文军 , 郭霞 , 廉鹏 , 邹德恕 , 高国 , 沈光地

文章导航 > 激光技术 > 2003 > 27(4): 325-327

引用本文:

Citation:

垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

1.
北京工业大学光电子技术实验室, 北京, 100022

作者简介: 朱文军,男,1974年3月出生.博士研究生.主要从事垂直腔面发射半导体激光器的研究..

基金项目:
国家自然科学基金;国家重点基础研究与发展规划项目;北京市科委高科技资助项目
中图分类号: TN248.1

Characteristics comparison of a novel vertical-cavity surface-emitting laser

1.
Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing Polytechnic University, Beijing, 100022
CLC number: TN248.1

摘要: 通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。
- 多有源区 /
- 隧道再生 /
- VCSELs /
- DBR反射率
Abstract: A novel multiple-active-region tunneling regenerated strained-quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL),whose differential quantum efficiency is larger than unity and whose performance is expected to be improved,especially the threshold current is expected to be reduced and the output power is expected to be increased,was designed.Then the output power,threshold current of the novel structure and those of the traditional structure were compared under the conditions of the same reflectivity and injected current.So the advantages of the novel structure have been proved in theory.
- iple-active-region /
- tunneling regenerated /
- vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs) /
- DBR reflectivity

[1]	Iga K,Koyama F,Kinoshita S.IEEE J Q E,1988,24:1845～1855.
[2]	Soda H,Iga K,Kitahara C et al.Japan J A P,1979,18:2329～2320.
[3]	Boucart J,Starck C,Gaborit F et al.IEEE Photon Technol Lett,1999,11:629～631.
[4]	Huffaker D L,Deppe D G.IEEE Photon Technol Lett,1999,11:934～936.
[5]	Schubert E F,Tu L W.A P L,1992,60:466～468.
[6]	Peters M G,Young D B,Peters F H et al.IEEE Photon Technol Lett,1994,6:31～33.
[7]	Michael H,MacDougal,Gye M Y et al.IEEE Photon Technol Lett,1996,8:310～312.

[1]	李大义 , 陈建国 , 周小红 , 卢玉村 . 图形分析法求半导体激光器端面减反膜的有效反射率. 激光技术, 1998, 22(5): 257-261.
[2]	李孝峰 , 潘炜 , 罗斌 , 赵峥 , 邓果 . VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究. 激光技术, 2004, 28(3): 248-250,258.
[3]	蒋耀庭 , 潘丽娜 . 激光有源干扰及其发展现状. 激光技术, 2004, 28(4): 438-441.
[4]	严永鹏 , 高秀敏 , 张雷洪 , 张大伟 . 基于有源谐振腔的喇曼气体分析系统设计. 激光技术, 2017, 41(1): 65-67. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2017.01.014
[5]	杨义 , 郑铮 , 李铮 , 酆达 , 陈宇晓 . 有源光纤环脉冲复制器工作特性分析. 激光技术, 2008, 32(3): 228-230,239.
[6]	蒋新颖 , 徐美健 , 蒋东镔 , 段文涛 , 於海武 . V型有源镜构型热容激光器热特性研究. 激光技术, 2009, 33(1): 21-23.
[7]	易亨瑜 , 吕百达 . 反射率测量技术研究的进展. 激光技术, 2004, 28(5): 459-462.
[8]	鲁建存 . 起爆药的激光反射率. 激光技术, 1987, 11(1): 51-54.
[9]	倪晓武 , 陆建 , 张放 , 马孜 . 激光对非λ/4膜系变反射率薄膜的损伤机理. 激光技术, 1998, 22(5): 268-270.
[10]	王晓慧 , 吕志伟 , 林殿阳 , 王超 , 赵晓彦 , 程永康 . 色散泵浦对受激布里渊散射反射率的影响. 激光技术, 2002, 26(1): 53-54.
[11]	夏光琼 , 吴正茂 , 陈建国 . 光纤光栅的长度对其峰值反射率的影响. 激光技术, 2002, 26(2): 106-107.
[12]	江光裕 , 吴正茂 , 杨敏 , 林晓东 , 夏光琼 . SOA反射率对谐波锁模光纤激光器的影响. 激光技术, 2006, 30(2): 206-208.
[13]	曹鸿 , 宋连科 , 彭捍东 , 迟艳玲 . 线偏振光入射方位角与介质反射率关系研究. 激光技术, 2005, 29(1): 104-105.
[14]	易亨瑜 , 彭勇 , 田小强 , 胡晓阳 , 吕百达 . 光腔衰荡法的单波长反射率测量实验研究. 激光技术, 2005, 29(4): 337-339.
[15]	卢静 , 罗斌 . 垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析. 激光技术, 2019, 43(2): 174-178. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.02.005
[16]	孙年春 , 屈乾华 , 程洁 , 周琮 . 高斯反射率镜腔的热稳定性研究. 激光技术, 1995, 19(4): 234-238.
[17]	王敏 , 王青 , 朱日宏 , 马骏 , 陈帆 , 张建云 , 刘戴明 . 光谱合束二向色镜反射率及合束效率仿真研究. 激光技术, 2019, 43(3): 421-426. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.03.025
[18]	赵燕杰 , 魏合理 , 陈秀红 , 饶瑞中 , 徐青山 . 1.064μm波长卷云反射率的模拟研究. 激光技术, 2008, 32(5): 523-526.
[19]	吴鹏 , 范云茹 , 郭嘉伟 , 刘晓旭 , 周强 , 邓光伟 , 宋海智 , 王浟 . 纳秒脉冲激光加工高反射率铝膜. 激光技术, 2019, 43(6): 779-783. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2019.06.009
[20]	严嵋 . 金膜的镀制及其反射率的测量. 激光技术, 1981, 5(4): 49-51.

点击查看大图

计量

文章访问数: 3109
HTML全文浏览量: 633
PDF下载量: 988
被引次数: 0

垂直腔面发射激光器新型结构的特性比较

作者简介: 朱文军,男,1974年3月出生.博士研究生.主要从事垂直腔面发射半导体激光器的研究.

1. 北京工业大学光电子技术实验室, 北京, 100022

收稿日期: 2002-04-27
录用日期: 2002-09-27
网络出版日期: 2003-07-25

基金项目: 国家自然科学基金;国家重点基础研究与发展规划项目;北京市科委高科技资助项目

关键词:

摘要: 通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势。