GaN基材料半导体激光器综述

郎佳红; 顾彪; 徐茵; 秦福文

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GaN基材料半导体激光器综述

郎佳红 , 顾彪 , 徐茵 , 秦福文

文章导航 > 激光技术 > 2003 > 27(4): 321-324,327

引用本文:

Citation:

GaN基材料半导体激光器综述

1.
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 大连, 116024;
2.
大连理工大学电气工程与应用电子技术系, 大连, 116024

作者简介: 郎佳红,男,1973年10月出生.助教,硕士研究生.从事等离子体在微电子领域中的应用研究..

基金项目:
国家自然科学基金资助项目
中图分类号: TN248.4

The GaN-based semiconductor materials LDs

1.
National Key Laboratory of Material Modification by 3-Beams, Dalian University of Technology, Dalian, 116024;
2.
Department of Electrical Engineering and Applied Electronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian, 116024
CLC number: TN248.4

摘要: 叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程。
- GaN /
- 半导体激光器 /
- MOCVD /
- 外延生长
Abstract: The development of semiconductor LDs materials and a few technical progresses for GaN-based semiconductor materials are reviewed.The development course of GaN-based LDs is also described in the paper.
- GaN /
- semiconductor LDs /
- MOCVD /
- epitaxy growth

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