半导体光放大器的超快动态增益特性

郑泽洲; 张新亮; 黄德修

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半导体光放大器的超快动态增益特性

郑泽洲 , 张新亮 , 黄德修

文章导航 > 激光技术 > 2003 > 27(3): 168-171

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Citation:

半导体光放大器的超快动态增益特性

1.
华中科技大学光电子工程系, 武汉, 430074

作者简介: 郑泽洲,男,1979年1月出生.硕士研究生.主要从事光纤通信方面的研究..

基金项目:
国家九七三计划项目;湖北省自然科学基金资助项目
中图分类号: TN929.11

Ultrafast dynamic gain characteristics of semiconductor optical amplifiers

1.
Department of Optoelectronic Engineering, HUST, Wuhan, 430074
CLC number: TN929.11

摘要: 提出了一种包括载流子密度脉动(CDP)、载流子加热(CH)和光谱烧孔(SHB)效应在内的半导体光放大器(SOA)的时域动态模型。利用该模型分析了半导体光放大器中的增益饱和、超快增益动态以及光脉冲在增益饱和半导体光放大器中的波形畸变,其中重点考虑了超短脉冲的情况。模拟计算表明,对于10ps量级以下的短脉冲,分析半导体光放大器的动态增益特性时,不能忽略载流子加热和光谱烧孔等带内超快非线性效应的影响。
- 半导体光放大器 /
- 动态增益特性 /
- 模型 /
- 超短脉冲
Abstract: An advanced time-domain dynamic model for the investigation of semiconductor optical amplifiers(SOA) is presented.The model accounts for the ultrafast gain dynamics,the gain saturation and the pulse distortion induced by carrier density pulsation(CDP),carrier heating(CH) and spectral hole burning(SHB),the focus is on the ultrashort pulse gain saturation in SOA.It is shown by numerical simulation that there is a critical pulsewidth around 10ps,below which the intraband effects cannot be neglected.
- semiconductor optical amplifier(SOA) /
- dynamic gain characteristics /
- model /
- ultrashort pulse

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半导体光放大器的超快动态增益特性

作者简介: 郑泽洲,男,1979年1月出生.硕士研究生.主要从事光纤通信方面的研究.

1. 华中科技大学光电子工程系, 武汉, 430074

收稿日期: 2002-11-04
录用日期: 2002-12-18
网络出版日期: 2003-05-25

基金项目: 国家九七三计划项目;湖北省自然科学基金资助项目

关键词:

摘要: 提出了一种包括载流子密度脉动(CDP)、载流子加热(CH)和光谱烧孔(SHB)效应在内的半导体光放大器(SOA)的时域动态模型。利用该模型分析了半导体光放大器中的增益饱和、超快增益动态以及光脉冲在增益饱和半导体光放大器中的波形畸变,其中重点考虑了超短脉冲的情况。模拟计算表明,对于10ps量级以下的短脉冲,分析半导体光放大器的动态增益特性时,不能忽略载流子加热和光谱烧孔等带内超快非线性效应的影响。