在Ar与CF4混合气氛中生长LiYF4晶体

袁静; 阮永丰; 那木吉拉图; 杜天敏

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在Ar与CF4混合气氛中生长LiYF4晶体

袁静 , 阮永丰 , 那木吉拉图 , 杜天敏

文章导航 > 激光技术 > 2002 > 26(6): 425-427

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Citation:

在Ar与CF4混合气氛中生长LiYF4晶体

1.
天津大学理学院应用物理系, 天津, 300072

作者简介: 袁静,男,1976年出生.硕士研究生.现从事光电子材料方面的研究工作..

中图分类号: TQ131.1⁺1;TQ133.3

The growth of LiYF4 crystal in CF4 atmosphere

1.
Department of Applied Physics, Tianjin University, Tianjin, 300072
CLC number: TQ131.1⁺1;TQ133.3

摘要: 报道了在Ar与CF4混合气氛中成功地生成出高质量的Nd:LiYF4晶体,并比较了在单一Ar气氛和Ar与CF4混合气氛中生长的LiYF4晶体的差别。X射线衍射表明,在单一Ar气氛中产生的不纯物质主要是氟氧化合物,Ar与CF4混合气氛中,此种不纯物质能够被有效地消除。
- LiYF4晶体 /
- 晶体生长 /
- 生长气氛 /
- 氟氧化合物
Abstract: LiYF4 crystal with high quality was successfully grown in CF4 atmosphere.The difference between the crystals grown in Ar and CF4 atmosphere is reported.X-ray indicates that the impurity formed in Ar growth atmosphere is mainly oxyfluoride,the impurity can be effectively eliminated in CF4 atmosphere.
- LiYF4 crystal /
- crystal growth /
- growth atmoshpere /
- oxyfluoride

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