Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

宋登元; 郭宝增; 李宝通

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Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

宋登元 , 郭宝增 , 李宝通

文章导航 > 激光技术 > 1999 > 23(3): 190-193

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Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

1.
河北大学电子与信息工程系, 保定, 071002

作者简介: 宋登元,男,1957年出生.副教授.目前的主要研究领域是半导体物理与器件工艺..

Properties of Ar+ laser induced wet etching into Si

1.
Department of Electronics and Informational Engineering, Hebei University, Baoding, 071002

摘要: 利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H2O(1:20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。
- 激光 /
- Si /
- 光化学腐蚀
Abstract: Laser induced wet etching into n Si in the dilute HF:H2O(1:20) by an Ar+ laser at room temperature is reported.Smooth etch features with Gaussian shape that depends on doping level of Si were observed.The laser etch rate is influenced by the incident power.For the HF/Si system,the etching is thought to take place photoelectrochemically with holes and electrons generated by the incident illumination of the laser beam.The result is explained reasonably by the mode of electrodless etching under the laser illumination in an electrochemical cell.
- laser /
- Si /
- photoelectrochemical etching

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Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

作者简介: 宋登元,男,1957年出生.副教授.目前的主要研究领域是半导体物理与器件工艺.

1. 河北大学电子与信息工程系, 保定, 071002

收稿日期: 1998-01-23
录用日期: 1998-05-14
网络出版日期: 1999-05-25

关键词:

激光 /
Si /
光化学腐蚀

摘要: 利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H2O(1:20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。