Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

宋登元; 郭宝增; 李宝通

高级检索

ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

宋登元 , 郭宝增 , 李宝通

文章导航 > 激光技术 > 1999 > 23(3): 190-193

引用本文:

Citation:

Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

1.
河北大学电子与信息工程系, 保定, 071002

作者简介: 宋登元,男,1957年出生.副教授.目前的主要研究领域是半导体物理与器件工艺..

Properties of Ar+ laser induced wet etching into Si

1.
Department of Electronics and Informational Engineering, Hebei University, Baoding, 071002

摘要: 利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H2O(1:20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。
- 激光 /
- Si /
- 光化学腐蚀
Abstract: Laser induced wet etching into n Si in the dilute HF:H2O(1:20) by an Ar+ laser at room temperature is reported.Smooth etch features with Gaussian shape that depends on doping level of Si were observed.The laser etch rate is influenced by the incident power.For the HF/Si system,the etching is thought to take place photoelectrochemically with holes and electrons generated by the incident illumination of the laser beam.The result is explained reasonably by the mode of electrodless etching under the laser illumination in an electrochemical cell.
- laser /
- Si /
- photoelectrochemical etching

[1]	Podlesnik D V,Gilgen H H,Sanchez A et al.A P L,1983;43(12):1083~1085
[2]	Willner A E,Ruberto M N,Blum enthal D J et al.A P L,1989;54(19):1839~1841
[3]	von Gutfeld R J,Hodgson R T.A P L,1982;40(4):352~354
[4]	Ehrlich D J,Osgood R M Jr,Deutsch T F.A P L,1981;38(12):1018~1020
[5]	Sokef R A.Proc IEEE,1993;81(12):1687~1706
[6]	Hilleringman V,Coser K.IEEE Trans Electron Devices,1995;42(5):841~846
[7]	Lax M.J A P,1977;48(9):3919~3924
[8]	Ehrlich D J,Tsao J Y.Laser Microfabrication.Bost on:Academic Press,1989:337~358
[9]	章熙康,江绵桓,王缨et al译.超大规模集成电路工艺——Si和GaAs.北京:电子工业出版社,1986:256~261
[10]	吴辉煌译1半导体与金属氧化膜的电化学1北京:科学出版社,1988:83~125
[11]	Ward T L,K odas T T.J A P,1991;69(2):1000~1007
[12]	Sze S M.Physics of Semiconduct or Devices.New York:Jnhn Wiley&Sons Inc,1981:74~84

[1]	罗军 , 朱正吼 , 刘勇 . 激光重熔法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶块材. 激光技术, 2005, 29(6): 594-595,614.
[2]	袁加勇 , 陈钰清 , 王颖 . CO2激光化学气相沉积a-Si：H薄膜. 激光技术, 1991, 15(3): 166-171.
[3]	明长江 . 激光化学及其应用成就. 激光技术, 1991, 15(4): 210-214.
[4]	郑咏梅 , 张铁强 , 郭山河 . 激光检测焊枪定位系统的研究. 激光技术, 1998, 22(4): 228-230.
[5]	杨在富 , 钱焕文 , 高光煌 . 激光告警技术发展现状. 激光技术, 2004, 28(1): 98-102.
[6]	王成 , 马莹 , 张贵彦 , 肖孟超 , 甘志宏 , 缪同群 , 钱龙生 . 薄膜应力激光测量方法分析. 激光技术, 2005, 29(1): 98-100.
[7]	刘继常 , 李力钧 , 朱小东 , 陈洪 . 试析几种激光复合焊接技术. 激光技术, 2003, 27(5): 486-489.
[8]	李玉瑶 , 王菲 , 孙同同 . 薄膜激光损伤阈值标定技术. 激光技术, 2021, 45(6): 729-734. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2021.06.009
[9]	蒋玉想 , 李振华 . 水泥路面激光散射特性研究. 激光技术, 2021, 45(3): 344-349. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2021.03.014
[10]	杨今才 , 刘富 , 金昌 , 蓝宏 . 用He-Ne激光在线检测链板缺陷. 激光技术, 1996, 20(6): 356-359.
[11]	张永艳 , 李波 , 冯苏英 . 军用激光器冷却液的研制. 激光技术, 1998, 22(1): 44-45.
[12]	王伟平 , 谭福利 , 张可星 , 吕百达 . 激光对金属背面含能材料的点火阈值. 激光技术, 2001, 25(3): 199-202.
[13]	余小敏 , 陈慧敏 , 李家泽 . 激光乳化白内障的新进展. 激光技术, 2003, 27(5): 400-402,406.
[14]	赵建军 , 侯彦东 . 基于激光技术的高炮射击训练模拟系统. 激光技术, 2003, 27(6): 567-568,571.
[15]	张小林 . 野外高可靠激光训练系统的设计. 激光技术, 2004, 28(3): 286-288.
[16]	蒋耀庭 , 潘丽娜 . 激光有源干扰及其发展现状. 激光技术, 2004, 28(4): 438-441.
[17]	程愿应 , 刘顺洪 , 王汉生 , 李家鎔 , 李志远 . 汽车缸体激光淬火生产线成套设备. 激光技术, 2002, 26(3): 223-224.
[18]	刘晓东 , 侯蓝田 . 激光在光子局域化研究中的应用. 激光技术, 2002, 26(1): 29-32.
[19]	赵育良 , 许兆林 , 李开端 . 基于CCD的激光微位移测量系统研究. 激光技术, 2003, 27(1): 73-75.
[20]	范勇 , 王声波 , 吴鸿兴 , 郭大浩 , 戴宇生 , 夏小平 . 航空铝合金材料激光冲击强化实验研究. 激光技术, 2003, 27(4): 273-275.

点击查看大图

计量

文章访问数: 3218
HTML全文浏览量: 756
PDF下载量: 448
被引次数: 0

Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

作者简介: 宋登元,男,1957年出生.副教授.目前的主要研究领域是半导体物理与器件工艺.

1. 河北大学电子与信息工程系, 保定, 071002

收稿日期: 1998-01-23
录用日期: 1998-05-14
网络出版日期: 1999-05-25

关键词:

激光 /
Si /
光化学腐蚀

摘要: 利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H2O(1:20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。