Nd：GdVO4晶体的生长与性能

陈庆汉; 张志斌; 黄晋蓉; 周庆模; 霍玉晶

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Nd：GdVO4晶体的生长与性能

陈庆汉 , 张志斌 , 黄晋蓉 , 周庆模 , 霍玉晶

文章导航 > 激光技术 > 1997 > 21(6): 339-342

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Nd：GdVO4晶体的生长与性能

1.
西南技术物理研究所, 成都, 610041;
2.
清华大学电子工程系, 北京, 100084

作者简介: 陈庆汉,1943年1月出生.高级工程师.现从事激光晶体专业方面的研究工作..

Growth and properties of Nd：GdVO4 crystals

1.
Southwest Instutite of Technical Physics, Chengdu, 610041;
2.
Dept. of Electro. Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084

摘要: 报道了在N2+He(30%～50%Vol)气氛中用提拉法成功地生长了Nd:GdVO4晶体.激光实验中,LD泵浦功率为350mW,采用端泵方式获得波长为1060nm的激光输出,TEM00基模方式运行,阈值泵浦功率为95mW,输出功率为13mW,斜效率为5%.
- Nd：GdVO4晶体 /
- 晶体生长 /
- 提拉法 /
- 激光二极管泵浦 /
- 激光晶体
Abstract: Nd:GdVO4 crystal is a laser crystal pumped by laser diodes.This paper reports the growing procedure and the properties of the crystal.We employed CZ method to grow the crystal at the condition of growing atmosphere of N2+He(30%～50%Vol) and add 0.5% of the component V2O5 over the burden calculation and modify technological procedure to correct the loss of volatile of V2O5.Using end-pumped by laser diode of pumped power 370mW,we have achieved the 13mW CW laser output power of Nd:GdVO4 laser,operating at TEM00mode and near 1060nm wavelength with 5% slop efficiency.The threshold pump power of the laser is 95mW.
- GdVO4 crystal /
- crystal growth /
- czochralski method /
- laser diode pump /
- laser crystal

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