混合InGaAs光电二极管阵列

邹福清

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混合InGaAs光电二极管阵列

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文章导航 > 激光技术 > 1994 > 18(3): 148-148

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混合InGaAs光电二极管阵列

邹福清

摘要: 单片激光二极管可同时发射红光及红外光XeroxPaloAlto研究中心(PaloAlto,CA)的科学家们在GaAs衬底上生长出单管可见(680nm)和红外(830nm)的激光二极管。这种紧密排列由芯片低压金属有机物气相外延方法制成。

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