达通型硅雪崩光电二极管结参数与倍增特性的计算

文雪冬; 钟泽祥

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ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

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达通型硅雪崩光电二极管结参数与倍增特性的计算

文雪冬 , 钟泽祥

文章导航 > 激光技术 > 1993 > 17(4): 209-214

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达通型硅雪崩光电二极管结参数与倍增特性的计算

1.
西南技术物理研究所成都 610041

作者简介: 文雪冬,男,1941年12月出生。研究员级高工。现从事硅光电探洲器研究;钟泽禅,男,1944年11月出生。高工。1991年9月至1992年6月作为高级访问学者在芬兰Tampers University of Tech-Mology作研究工作。现从事计算机应用及信号处理技术研究。.

The computation of junction partmeters and multiplicstion characteristic of resch-through avalanche photodiode

1.
Southwest Institute of Technical Physics

摘要: 本文提出了设计达通型硅雪崩光电二极管的分区计算模型。给出了雪崩区参数和倍增特性的计算结果。
Abstract: The purpose of this paper is to intduce a dividing region computation model for designing reachthrough avalanche photodiode(RAPD).The eomputed results of the junction parameters and muhiplieationcharacteristics of avalanche region of RAPD are presented.

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