CO2激光化学气相沉积a-Si：H薄膜

袁加勇; 陈钰清; 王颖

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CO2激光化学气相沉积a-Si：H薄膜

袁加勇 , 陈钰清 , 王颖

文章导航 > 激光技术 > 1991 > 15(3): 166-171

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CO2激光化学气相沉积a-Si：H薄膜

1.
浙江大学光仪系, 杭州

作者简介: 袁加勇,男,1944年5月出生.副教授,教务处副处长.从事激光技术研究..

CO2 laser chemical vapor deposition of a-Si：H film

1.
Department of Optical Instrument Engineering, Zhejiang University

摘要: 用输出功率为50W的CW CO2激光照射纯硅烷(SiH4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200/min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达104量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。
Abstract: Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) film have been produced by laser chemical vapor deposition, there a 50W CO2 laser is used to excite silane (SiH4). Deposition rate up to 200/min is achieved. The films are confirmed to be amorphous. The ratio of measured photo-conductivity and dark-conductivity of the films reaches 104 orders of magnitudes visible spectroscopic techniques. Value of optical gap is of 1.44~2.00eV. Deposition rate, photo-conductivity,dark-conductivity and optical gap, as the function of substrate temperature,are obtained. The chemical vapor deposition mechanism of a-Si:H film is described.

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CO2激光化学气相沉积a-Si：H薄膜

作者简介: 袁加勇,男,1944年5月出生.副教授,教务处副处长.从事激光技术研究.

1. 浙江大学光仪系, 杭州

收稿日期: 1990-06-05
录用日期: 1991-01-29
网络出版日期: 1991-05-25

摘要: 用输出功率为50W的CW CO2激光照射纯硅烷(SiH4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200/min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达104量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。