KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

刘训民; 张爱荣

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KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

刘训民 , 张爱荣

文章导航 > 激光技术 > 1991 > 15(3): 129-133

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KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

1.
山东大学晶体材料研究所, 济南

作者简介: 刘训民,男,1958年10月出生.助工.现从事光学晶体(主要是激光晶体)表面增透膜的研究;张爱荣,女,1942年1月出生.实脸师.现从事激光晶体增透膜的研究.;刘训民,男,1958年10月出生.助工.现从事光学晶体(主要是激光晶体)表面增透膜的研究;张爱荣,女,1942年1月出生.实脸师.现从事激光晶体增透膜的研究..

AR coating of KTP frequency doubling devices for both 1.064μm and 0.532μm

1.
Institute of Crystal Materials, Shandong University

摘要: 本文介绍KTP(KTiOPO4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15%～0.20%。
Abstract: A new design and preparation technique about the anti-reflective coating for SHG of KTP(KTiOPO4) crystals are introduced. The coating is composed of three different films with identical thickness.The preparation is relatively easy, with high reproducibility. The residual reflectivity of both 1.064μm and 0.532μm has been reduced to as low as 0.15%~0.20%.

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