M-I-M隧道结发光器件的研究

郁苹

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M-I-M隧道结发光器件的研究

郁苹

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M-I-M隧道结发光器件的研究

郁苹

1.
东南大学电子工程系南京

Study of light-emission device of M-I-M tunnel junctions

Yu Ping

1.
Department of Electronic Engineering, Southeast University

摘要: 金属-绝缘层-金属隧道结在低直流偏压下可发光。我们从三种结构研究了这种隧道结的发光效应,验证了表面粗糙度对隧道结的光辐射所起的显著作用,得出了快模式是光辐射的主要来源的初步设想。我们还在这种隧道结结构中引入了LB膜,构成了一种室温性能较好、很有前景的发光隧道结新结构。
Abstract: Metal-insulator-metal tunnel junctions is found to emit light nuder iow applied bias. We have studied three structures of tunnel junctions. It has been shown experimently that surface roughness plays a notable role in light emission. We have suggested that light emission from tunnel juctions is predominantly fast mode mediated. We introduce LB film into such structure to form a new hopeful tunnel junction with good room temperature light-emission stability.

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