Spectroscopic ellipsometry study of complex optical constants of multistep spin-coating CsPbBr3 films
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摘要: 为了研究多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜的光学常数, 以溴化铅和溴化铯为原料, 采用多步旋涂法在硅和FTO衬底上制得CsPbBr3薄膜。利用光弹调制式椭偏光谱仪对硅衬底上的薄膜进行了椭偏光谱分析, 使用Tanguy和Tauc-Lorentz 3组合模型对变角度的椭偏光谱进行参数拟合, 得到了薄膜光学常数在1.00 eV~5.00 eV范围内的色散关系, 并利用荧光发射光谱、吸收谱验证椭偏拟合结果。结果表明, 多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜的光学常数与其它方法相比具有一定的差异性, 其中折射率可能与薄膜表面粗糙度呈负相关; 椭偏拟合所得带隙为2.3 eV, 验证了荧光光谱、吸收谱的计算结果。该研究为多步旋涂法制备的CsPbBr3薄膜椭偏光谱拟合分析提供了参考。Abstract: For the purpose of studying the optical constants of CsPbBr3 films prepared by the multi-step spin coating method, CsPbBr3 films were prepared on silicon and SnO2∶F (FTO) substrates by the multi-step spin-coating with lead bromide and cesium bromide as raw materials. The ellipsometric spectrum of films on silicon substrate was achieved by a photoelastic modulating ellipsometry spectrometer. The parameters of the ellipsometric spectrum were fitted by using the combination model of Tanguy and Tauc-Lorentz three oscillators, and the dispersion relationship of the optical constants of thin films in the range of 1.00 eV~5.00 eV was obtained. Fluorescence emission spectra and absorption spectra were used to verify the ellipsometry fitting results. The results show that the optical constants of CsPbBr3 films prepared by the multi-step spin coating method are different from those of other methods, and the refractive index may be negatively correlated with the surface roughness of the films. The band gap obtained by ellipsometry fitting is 2.3 eV, which verifies the results of fluorescence spectra and absorption spectra. This study provides a reference for the fitting analysis of the ellipsometry spectra of CsPbBr3 films prepared by multi-step spin coating.
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引言
银基电触头是低压电器的关键材料[1]，应用于交直流接触器、断路器、继电器[2]，其中AgNi电触头具有良好的导电性、低电阻及可加工性，被广泛用于家用电器的开关、辅助开关、汽车继电器等领域。然而AgNi触头抗熔焊性差[3]、耐电弧烧蚀差以及机械强度不足，需要通过改进加工工艺或添加微量元素来提升触头材料的综合性能，延长其电寿命[4-5]。ZEER等人[6]制备了一种新型的Ag基电接触材料的消弧分散体(ZnO、SnO2和TiO2纳米粉)，结果显示电腐蚀磨损率性能较商用AgCdO提高了3.5倍。BIYIK等人[7]研究了B2O3含量对银基触头电弧侵蚀性能的影响，当B2O3的体积分数为10%时，抗电弧侵蚀可达20000次。HE等人[8]探索了机械合金化法制备Ag/LSCO电触头材料的工艺，其密度、维氏硬度和电阻率分别为9.72 g/cm3、102.53 HV、3.10 μΩ·cm。上述工作均说明了在Ag基触头中添加其它组分可提高触头的性能。近年来，学者将性能优异的石墨烯作为添加剂加入触头材料的研究掀起了热潮。LIU等人[9]通过化学共沉积法制备银基涂层，将石墨烯作为掺杂剂可以提高涂层的耐磨性。HAO等人[10]制备了Ag-石墨烯复合材料，其硬度提高了35.1%，电导率达到98.62%。WANG等人[11]发现，Ag-GO复合材料的抗拉强度高达190 MPa，比纯Ag高出5.5%，高于大部分掺碳的银基复合材料，而且该材料在20 A电流和220 V电压下具有400000次的电气耐久性。
虽然石墨烯作为添加剂的确增强了Ag触头的机械性能、抗电弧烧蚀能力，但未能充分发挥石墨烯的优异特性，只有大面积且置于表面的石墨烯薄膜才能实现对银基触头的保护作用。制备大面积的石墨烯薄膜方法包括化学气相沉积[12-14]和激光原位生长法[15-18]，其中激光法由于高效、环境友好的方式，是一种适合工程化应用的碳材料加工手段[19-21]，可用于石墨烯大面积制备。YE等人[16-18]通过激光合金化在任何金属上直接制造石墨烯，对金属基底起到保护作用。最近，XU等人[22]发现了激光制备的石墨烯/铜基触头具有优异的电工性能，硬度几乎是紫铜的2倍，摩擦系数仅为0.06。由此可见激光法制备石墨烯是可行的，然而铜合金触头需要采用等离子体加工制备过渡层再生长石墨烯，因此，亟待开发一种直接在触头表面生长石墨烯的方法，以实现快速、高效的石墨烯涂层生长。
本文作者拟采用纳秒激光器在银基触头表面原位生长石墨烯独立涂层。纳秒激光器以可调脉宽、加工能力强、稳定性好、价格低等优点，广泛应用于制造业、医疗、手工业等领域。本文中利用纳秒激光的高峰值功率，在无需过渡层辅助下在商用AgNi15触点表面快速原位制备全覆盖的石墨烯薄膜，旨在提高其机械性能和电学性能，最终提高其电寿命。通过旋涂法在AgNi15触头预置碳源，再采用脉冲激光器辐照，即可在触头表面快速生长出石墨烯薄膜，并对石墨烯复合触头的电工特性进行评价。本文中的研究旨在为低压电器开关、继电器的核心部件，即电触头材料的更新换代提供新的解决方案与实验基础。
1. 实验
1.1 石墨烯/AgNi15复合触头的制备
本文作者采用激光法制备石墨烯复合涂层，制备过程如图 1所示。首先配制石墨(质量分数为99.99%，粒径为50 nm，)与无水乙醇的混合溶液，比例为1 g ∶10 mL，在商用AgNi15触头表面旋涂石墨/乙醇混合溶液，待干燥后，将预置好石墨涂层的Ag/Ni15触头，置于真空腔中，采用纳秒脉冲光纤激光器(YDFLP-E-30-M7)辐照石墨涂层，即可生长出石墨烯。
![图 1 石墨烯/AgNi15复合触头制备示意图]()
图 1 石墨烯/AgNi15复合触头制备示意图Figure 1. A schematic diagram of graphene/AgNi15 composite electrical contact preparation1.2 石墨烯/AgNi15复合触头的表征
对上述制备的石墨烯/AgNi15复合触头，采用光学显微镜(optical microscope，OM)、扫描电子显微镜(sc-anning electron microscope，SEM)、X射线衍射仪(X-ray diffractometer，XRD)对原始触头和石墨烯复合触头表面形貌与结构进行表征；采用X射线能量色谱仪(energy dispersive spectrometer，EDS)对复合触头的表面进行点扫描，得到复合触头的元素成分含量，以此来检验复合触头内部是否种入了碳原子；采用显微共焦喇曼光谱仪对石墨烯复合触头测试，分析其D峰、G峰、2D峰的相对强度，由此判断石墨烯涂层生长质量的好坏。
1.3 石墨烯/AgNi15复合触头的性能研究
采用维氏硬度仪对样品表面硬度进行测试，采用直流电阻测试仪对样品进行电阻测试，采用数显密度仪对样品进行密度测试并分别与国家标准(GB/T5588-2017)进行对比。
2. 结果与分析
2.1 石墨烯/AgNi15复合触头的制备
采用激光法成功制备的石墨烯银基复合触头，以及所用的原料石墨粉、原始AgNi15触头的表征形貌和结构表征如图 2所示。图 2a和图 2b为原料石墨粉的SEM图，可以看到，总体上石墨粉的粒径相差不大，散乱无规则的排列，容易团聚；在图 2b中随机选取3个点q1，q2，q3对石墨粉的成分进行表征，如表 1所示。通过EDS测试可得这3个点碳的质量分数为93.44%、95.64%、95.75%，表明石墨粉纯度较高。采用喇曼光谱和XRD对石墨粉的结构进行表征，如图 2g、图 2i所示，结果显示为标准的石墨结构[20]；对原始的AgNi15触头表面形貌进行表征，如图 2c~图 2d所示，表面较为平整，在图 2d中随机选取点r1和r2测试其成分，结果如表 1所示，Ag元素质量分数分别为85.81%、84.52%，Ni元素质量分数分别为14.19%、15.48%，满足GB/T5588-2017银镍、银铁电触头技术条件[23]。经过系统工艺优化，最终得到最佳生长石墨烯/AgNi15复合触头的激光参数为功率为1.5 W，扫描速率为10 mm/s，扫描次数为10次。制备出的石墨烯/AgNi15复合触头的表面形貌如图 2e~图 2f所示，可以明显地看到多层石墨烯片层结构；在图 2f中石墨烯/AgNi15随机选取了两个点t1，t2进行成分分析，结果显示，t1点的元素成分(质量分数)如下：C是88.85%，Ni是0.54%，Ag是10.62%；t2点的元素成分(质量分数)如下：C是77.29%，Ni是5.23%，Ag是17.48%。对t1，t2两个点进行了喇曼表征，测试结果如图 2h所示，t1和t2两个区域符合石墨烯的特征峰，且2D峰强度小于G峰强度，2D峰是对称的，表现出多层石墨烯的特征峰[20]。最后对石墨烯/AgNi15复合触头的物相结构进行了表征，其在26°显示出石墨烯(002)晶面的衍射峰，由于石墨烯相对于主晶相Ag来说含量很少，所以衍射峰强度较低，在38°左右显示出主晶相Ag元素(111)晶面的衍射峰，在44°左右显示出石墨烯的(101)晶面、主晶相Ag的(200)晶面以及Ni的(111)晶面衍射峰[24]。以上结果均表明，通过激光加工技术能够在原始AgNi15电触头基础上成功制备出石墨烯/AgNi15复合触头。
![图 2 石墨粉、银触头以及石墨烯触头的表征]()
图 2 石墨粉、银触头以及石墨烯触头的表征Figure 2. Characterization of graphite powder, silver contact and graphene contact表 1 石墨粉及原始AgNi15触头元素的质量分数Table 1. Mass fraction of graphite powder and original AgNi15 contact element contenttest point w(Ag) /% w(Ni)/% w(C)/% w(O)/% q1 — — 93.44 6.56 q2 — — 95.64 4.36 q3 — — 95.75 4.25 r1 85.81 14.19 — — r2 84.52 15.48 — — 2.2 石墨烯/AgNi15复合触头的表征
为了得到最优激光工艺生长条件下的石墨烯/AgNi15复合触头，本文中研究了激光加工参数对石墨烯/AgNi15复合触头的影响，其结果如图 3所示。首先研究了激光功率对石墨烯生长的影响，喇曼测试结果如图 3a所示，当激光功率较小的时候，石墨烯的特征峰D峰(约1350 cm-1)、G峰(约1580 cm-1)及2D峰(2700 cm-1)十分明显，且各峰的相对强度较大。从喇曼光谱中可以计算出D波段(ID/IG)和2D波段(I2D/IG)的相对强度，其中ID/IG表示石墨烯的结晶和缺陷，I2D/IG表示石墨烯的厚度[25-26]，如图 3b所示，随着激光功率的不断增大，D峰不断增大；而2D峰也不断减弱；当激光功率持续增大到6.0 W和7.5 W时，D峰和G峰相连，且与2D峰不在同一条基线上，其缺陷较为严重。在低功率的能量输入下可以形成AgNi合金表面微熔池，激光关闭后，快速冷却，使得C原子进入到Ni的晶格当中，其中过饱和的那部分C原子析出AgNi合金的表面，重新排列形成石墨烯，而激光功率过大，对基体的烧蚀和氧化作用比较严重，不能形成质量较好的石墨烯薄膜[16]。当激光功率为1.5 W时，生长的石墨烯质量最好。激光加工次数对石墨烯/AgNi15复合触头生长的影响如图 3c所示。可以看到，激光加工次数从10次增大到40次，对石墨烯的生长几乎没有影响，其特征峰都很明显，且峰型尖锐，强度较大，表明结晶性良好。图 3d中的ID/IG的数值在0.98~1.00之间，表明了激光加工次数不是生长石墨烯/AgNi15复合触头的主要因素，而激光功率是主要因素，所以在加工次数影响不大的前提下，选择加工次数为10次作为最优的加工次数，可提高效率，同时减少能耗。综上所述，生长石墨烯/AgNi15复合触头的最优激光参数为功率1.5 W，加工10次。
![图 3 激光加工参数对石墨烯触头的影响]()
图 3 激光加工参数对石墨烯触头的影响Figure 3. Effect of laser processing parameters on graphene contact2.3 石墨烯/AgNi15复合触头的性能研究
2.3.1 石墨烯/AgNi15复合触头的硬度特性
硬度测试条件为施加载荷为0.98 N，15 s后卸载。分别选取AgNi15触头和石墨烯/AgNi15复合触头各3个样品，每个样品测试7个位置，计算其平均值及误差。图 4为原始AgNi15触头与石墨烯/AgNi15复合触头的维氏硬度，其中图 4a为原始AgNi15触头的硬度，其范围在105 HV~125 HV之间；图 4b为石墨烯/AgNi15复合触头的硬度，其范围在90 HV~120 HV之间。可知生长石墨烯的AgNi15触头的硬度稍有下降，这是因为在激光加工过程中，由于热作用，使得触头的硬度降低。图 4c为原始AgNi15触头与石墨烯/AgNi15复合触头硬度特性的均值和误差分析，其中AgNi15触头的硬度平均值在115.7 HV左右，石墨烯/AgNi15复合触头的硬度平均值在104.05 HV左右，硬度的平均值误差为10%，其硬度差异较小，且都满足GB/T5588-2017银镍、银铁电触头技术条件所规定的大于或等于79 HV[24]。
![图 4 原始银触头与石墨烯触头的硬度比较]()
图 4 原始银触头与石墨烯触头的硬度比较Figure 4. Comparison of hardness between original silver contact and graphene contact2.3.2 石墨烯/AgNi15复合触头的电阻特性
对原始AgNi15触头以及石墨烯/AgNi15复合触头进行电阻测量，测试结果如图 5所示。图 5a显示了具体的测试数值，AgNi15触头的电阻在0.011 Ω~0.018 Ω之间，而石墨烯/AgNi15复合触头的电阻在0.015 Ω~0.018 Ω之间，可知生长石墨烯的AgNi15触头的电阻更加稳定，而原始的AgNi15触头电阻波动范围较大；从图 5b的原始AgNi15触头与石墨烯/AgNi15复合电电触头的电阻均值和误差分析中得到，均值分别为0.014 Ω和0.016 Ω，非常接近，而石墨烯/AgNi15复合触头的电阻误差更小。
![图 5 原始银触头与石墨烯触头的电阻比较]()
图 5 原始银触头与石墨烯触头的电阻比较Figure 5. Comparison of resistance between original silver contact and graphene contact2.3.3 石墨烯/AgNi15复合触头的密度特性
对原始AgNi15触头和石墨烯/AgNi15复合触头的密度进行测量，测试结果如图 6所示。图 6a显示了原始AgNi15触头的密度在7.20 g/cm3~9.00 g/cm3之间，石墨烯/AgNi15复合触头的密度在7.90 g/cm3~10.00 g/cm3之间；图 6b为两种触头的均值与误差分析。结果表明：石墨烯/AgNi15复合触头的平均密度(9.15 g/cm3)大于原始AgNi15触头(8.14 g/cm3)，但原始触头的误差小于石墨烯/AgNi15复合触头。其原因是激光生长石墨烯后，触头的质量略微增加；而且由于基体和石墨烯薄膜吸收激光热作用的能力不同，进一步会在基体表面产生少量孔隙，两者相互作用的结果呈现出石墨烯/AgNi15复合触头的密度增大。
![图 6 原始银触头与石墨烯触头的密度比较]()
图 6 原始银触头与石墨烯触头的密度比较Figure 6. Comparison of density between original silver contact and graphene contact3. 结论
通过在AgNi15触头表面预置石墨涂层，采用脉冲激光加工技术成功地在触头表面制备出了石墨烯薄膜，得到了最优生长石墨烯的激光工艺为功率1.5 W，加工次数为10次。通过与原始的AgNi15触头对比，发现石墨烯/AgNi15复合触头在硬度、电阻方面变化很小、而密度略有提高。该研究结果为石墨烯/银基复合触头的制备提供了新的思路和实验基础，在保证复合触头导电性能的基础上为发挥表面石墨烯涂层的耐磨优势提供了依据。
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图 1 在单晶硅衬底和FTO衬底上CsPbBr3的XRD图谱对比
Figure 1. Comparison of XRD patterns of CsPbBr3 on monocrystalline silicon and FTO substrates
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图 2 不同衬底上制备的CsPbBr3薄膜的SEM图
Figure 2. SEM images of CsPbBr3 films prepared on different substrates
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图 3 硅衬底上制备薄膜的结构模型
Figure 3. Structure model of thin films prepared on silicon substrate
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图 4 不同入射角度下椭偏参数Is和Ic曲线的测量拟合结果
Figure 4. Measurement and fitting results of ellipsometry parameters Is and Ic curves at different incidence angles
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图 5 CsPbBr3材料的折射率n曲线和消光系数k曲线
Figure 5. Refractive index n curve and extinction coefficient k curve of CsPbBr3 material
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图 6 硅和FTO衬底上的CsPbBr3薄膜的PL光谱
Figure 6. PL spectra of CsPbBr3 films on silicon and FTO substrates
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图 7 CsPbBr3薄膜的紫外-可见-近红外吸收光谱图及Tauc图
Figure 7. Ultraviolet-visible-near infrared absorption spectra and Tauc plot of CsPbBr3 film
表 1 Tauc-Lorentz 3色散模型的拟合参数
Table 1 Fitting parameters of Tauc-Lorentz 3 dispersion model
parameter value ε∞/eV 0.51 A1 45.34 E1/eV 2.37 C1 0.14 A2 11.20 E2/eV 3.40 C2 0.85 A3 6.55 E3/eV 4.23 C3 0.84 Eg 2.25 
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表 2 Tanguy色散模型拟合参数
Table 2 Fitting parameters of Tanguy dispersion model
parameter value A 96.45 Γ 14.83 R0/eV 1.04 a -3.27 b -1.41 Eg/eV 2.32 ε∞/eV 0.16
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[1] TANG K Ch, YOU P, YAN F. Highly stable all-inorganic perovskite solar cells processed at low temperature[J]. Solar RRL, 2018, 2(8): 1800075. DOI: 10.1002/solr.201800075
[2] YANG L L, WANG T, MIN Q H, et al. High water resistance of monoclinic CsPbBr3 nanocry-stals derived from zero-dimensional cesium lead halide perovskites[J]. ACS Omega, 2019, 4(3): 6084-6091. DOI: 10.1021/acsomega.9b00370
[3] PAN A Zh, MA X Q, HUANG Sh Y, et al. CsPbBr3 perovskite nanocrystal grown on MXene nanosheets for enhanced photoelectric detection and photocatalytic CO2 reduction[J]. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2019, 10(21): 6590-6597. DOI: 10.1021/acs.jpclett.9b02605
[4] GUPTA S, KULBAK M, CAHEN D. Pin-hole-free, homogeneous, pure CsPbBr3 films onflat substrates by simple spin-coating modification[J]. Frontiers in Energy Research, 2020, 8: 100. DOI: 10.3389/fenrg.2020.00100
[5] WANG Sh B, CAO F X, SUN W H, et al. A green bi-solvent system for processing high-quality CsPbBr3 films in efficient all-inorganic pe-rovskite solar cells[J]. Materials Tod-ay Physics, 2022, 22: 100614. DOI: 10.1016/j.mtphys.2022.100614
[6] JEON N J, NA H, JUNG E H, et al. A fluorene-terminated hole-transporting material for highly efficient and stable perovskite solar cells[J]. Nature Energy, 2018, 3(8): 682-689. DOI: 10.1038/s41560-018-0200-6
[7] TURREN-CRUZ S H, HAGFELDT A, SALIBA M. Methylammonium-free, high-performance, and stable perovskite solar cells on a planar architecture[J]. Science, 2018, 362(6413): 449-453. DOI: 10.1126/science.aat3583
[8] KIM B W, HEO J H, PARK J K, et al. Morphology controlled nanocrystalline CsPbBr3 thin-film for metal halide perovskite light emitting diodes[J]. Journal of Industrial and Engineering Chemistry, 2021, 97: 417-425. DOI: 10.1016/j.jiec.2021.02.028
[9] LIU J M, ZHU L Q, XIANG S S, et al. Growing high-quality CsPbBr3 by using porous CsPb2Br5 as an intermediate: A promising light absorber in carbon-based perovskite sol-ar cells[J]. Sustainable E-nergy Fuels, 2019, 3: 184-194. DOI: 10.1039/C8SE00442K
[10] LI H H, CUI Ch C, XU X P, et al. A review of characterization of perovskite film in solar cells by spectroscopic ellipsometry[J]. Solar Energy, 2020, 212: 48-61. DOI: 10.1016/j.solener.2020.10.066
[11] ZHAO M L, SHI Y J, DAI J, et al. Ellipsometric study of the complex optical constants of a CsPbBr3 perovskite thin film[J]. Journal of Materials Chemistry, 2018, C6(39): 10450-10455.
[12] YAN W Sh, MAO L Y, ZHAO P Y, et al. Determination of complex optical constantsand photovoltaic device design of allinorganic CsPbBr3 perovskite thin films[J]. Optics Express, 2020, 28(10): 15706-15717. DOI: 10.1364/OE.392246
[13] CHEN Ch, WU D, YUAN M, et al. Spectroscopic ellipsometry study of CsPbBr3 perovskite thin films prepared by vacuum evaporation[J]. Journal of Physics, 2021, D54(22): 224002.
[14] DUAN J L, ZHAO Y Y, HE B L, et al. High-purity inorganic perovskite films for solar cells with 9.72% efficiency[J]. Angewandte Chemie, 2018, 57(14): 3787-3791. DOI: 10.1002/anie.201800019
[15] GAO B W, MENG J. High efficiently CsPbBr3 perovskite solar cells fabricated by multi-step spin coating method[J]. Solar Energy, 2020, 211: 1223-1229. DOI: 10.1016/j.solener.2020.10.045
[16] 胡星星. Cu50Zr50非晶合金薄膜微观结构及光电性能研究[D]. 哈尔滨: 哈尔滨工业大学, 2018: 14-15. HU X X. The microstructure and optical & electrical properties of the Cu50Zr50 thin film metallic glasses[D]. Harbin: Harbin Institute of Technology, 2018: 14-15(in Chinese).
[17] 孙晓娟, 韩培高, 隽方蓥, 等. 基于原位共角椭偏与反射谱的TiO2薄膜光学常数分析[J]. 激光技术, 2022, 46(2): 288-292. DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2022.02.022 SUN X J, HAN P G, JUAN F Y, et al. Analysis of optical constants of TiO2 thin film based on in-situ common angle ellipsometry and reflection[J]. Laser Technology, 2022, 46(2): 288-292(in Chin-ese). DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2022.02.022
[18] EL HAIMEUR A, MAKHA M, BAKKALI H, et al. Enhanced performance of planar perovskite solar cells using dip-coated TiO2 as electron transporting layer[J]. Solar Energy, 2020, 195: 475-482. DOI: 10.1016/j.solener.2019.11.094
[19] OCHOA-MARTINEZ E, NAVARRETE-ASTORGA E, RAMOS-BARRADO J, et al. Evolution of Al ∶ZnO optical response as a function of doping level[J]. Applied Surface Science, 2017, 421: 680-686. DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.10.103
[20] POSTAVA K, GAO Y Z, GONG X Y, et al. Spectroscopic ellipsometry of anodized layer on single crystal InAsSb layer grown by melt epitaxy[J]. Physica Status Solidic, 2008, 5(5): 1316-1319. DOI: 10.1002/pssc.200777757
[21] HEIDRICH K, KUNZEL H, TREUSCH J. Optical properties and electronic structure of CsPbCl3 and CsPbBr3[J]. Solid State Communications, 1978, 25(11): 887-889. DOI: 10.1016/0038-1098(78)90294-6
[22] KONDO S, TANAKA H, SAITO T. Optical absorption and localized electronic states in amorphous CsPbX3, PbX2 and TlX (X=Cl, Br)[J]. Journal of Physics: Condensed Matter, 1999, 11: 41.
[23] YAN J H, HOU Sh Ch, LI X Y, et al. Preparation of highly efficient and stable CsPbBr3 perovskite solar cells based on an anti-solvent rinsing strategy[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2022, 234: 111420. DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111420
[24] KUMAR Y, SINGH V, PANDEY A, et al. Synthesis, characterization and antibacterial activity of ZnO nanoparticles[J]. AIP Confe-rence Proceedings, 2020, 2265(1): 030119.
[25] ZHANG J W, HE G, LI T S, et al. Modulation of microstructure and optical properties of Mo-doped ZnO thin films by substrate temperature[J]. Materials Research Bulletin, 2015, 65: 7-13. DOI: 10.1016/j.materresbull.2015.01.004
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1. 李雨阳，陈志鹏，李革民，程继贵. 多层石墨烯增强银铜电刷材料的制备和组织性能. 粉末冶金工业. 2024(06): 20-25 . 
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