[1] Podlesnik D V,Gilgen H H,Sanchez A et al.A P L,1983;43(12):1083~1085
[2] Willner A E,Ruberto M N,Blum enthal D J et al.A P L,1989;54(19):1839~1841
[3] von Gutfeld R J,Hodgson R T.A P L,1982;40(4):352~354
[4] Ehrlich D J,Osgood R M Jr,Deutsch T F.A P L,1981;38(12):1018~1020
[5] Sokef R A.Proc IEEE,1993;81(12):1687~1706
[6] Hilleringman V,Coser K.IEEE Trans Electron Devices,1995;42(5):841~846
[7] Lax M.J A P,1977;48(9):3919~3924
[8] Ehrlich D J,Tsao J Y.Laser Microfabrication.Bost on:Academic Press,1989:337~358
[9] 章熙康,江绵桓,王缨et al译.超大规模集成电路工艺——Si和GaAs.北京:电子工业出版社,1986:256~261
[10] 吴辉煌译1半导体与金属氧化膜的电化学1北京:科学出版社,1988:83~125
[11] Ward T L,K odas T T.J A P,1991;69(2):1000~1007
[12] Sze S M.Physics of Semiconduct or Devices.New York:Jnhn Wiley&Sons Inc,1981:74~84