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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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用准分子光在硅上沉积超导薄膜

张先绪译 邹声荣校

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用准分子光在硅上沉积超导薄膜

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出版历程
  • 刊出日期:  1989-11-25

用准分子光在硅上沉积超导薄膜

摘要: 美新泽西州雷德班克Bellcore的研究人员把硼钇铜氧化物薄膜直接沉积在硅表面上.过去是用的缓冲器,而且在样品退火时使用的高温引起了超导导体和衬底之间熔融及一层粗糙表面.现在用KrF准分子激光器便在低温脉冲激光沉积,退火温度从高于800℃下降到600℃,退火时间也从几小时减到30min.样品表面比过去的光滑.已证明薄膜在液氮温度(约80K)具有超导性.

English Abstract

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