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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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InSb光电导太赫兹辐射理论研究

潘武 黄书璘 李亭亭 李国新

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InSb光电导太赫兹辐射理论研究

    作者简介: 潘武(1966- ),男,博士,教授,主要研究方向为光电子技术及系统、光通信器件及系统等。E-mail:panwu@cqupt.edu.cn.
  • 基金项目:

    重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2010BB2414)

  • 中图分类号: O431.1

Theory of terahertz radiation through InSb photoconduction

  • CLC number: O431.1

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-05-29
  • 录用日期:  2012-08-03
  • 刊出日期:  2013-03-25

InSb光电导太赫兹辐射理论研究

    作者简介: 潘武(1966- ),男,博士,教授,主要研究方向为光电子技术及系统、光通信器件及系统等。E-mail:panwu@cqupt.edu.cn
  • 1. 重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065
基金项目:  重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2010BB2414)

摘要: 为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化。结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性。

English Abstract

参考文献 (9)

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