氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

赵涛; 李清山; 董艳锋; 张立春; 解晓君

doi:10.3969/j.issn.1001-3806.2011.06.016

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氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

赵涛 , 李清山 , 董艳锋 , 张立春 , 解晓君

文章导航 > 激光技术 > 2011 > 35(6): 781-783,799

引用本文:

Citation:

氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

1.
曲阜师范大学物理工程学院, 曲阜 273165;
2.
鲁东大学, 烟台 264025

作者简介: 赵涛(1984-)，男，硕士研究生，主要从事纳米薄膜材料与功能元件的研究。.

通讯作者: 李清山, qslidu@126.com ;

基金项目:
国家自然科学基金资助项目(10974077);山东省自然科学基金资助项目(ZR2009GM035)
中图分类号: O484.1

Effect of oxygen pressure on optical properties of Cu-doped ZnO thin films prepared by PLD

1.
College of Physics and Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, China;
2.
Ludong University, Yantai 264025, China

Corresponding author: LI Qing-shan, qslidu@126.com ;

CLC number: O484.1

摘要: 为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2=34.3附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。
- 薄膜 /
- 掺铜znO /
- 脉冲激光沉积 /
- 氧压 /
- 光致发光
Abstract: In order to study the effect of oxygen pressure on the structure and optical property of ZnO thin films, different Cu-doped ZnO thin films were prepared on P-Si〈111〉 substrates by means of pulsed laser deposition (PLD) technique. The structures of the specimens were analyzed with X-ray diffraction(XRD)and their photoluminescence spectra were measured with a fluorescent spectrophotometer. XRD patterns indicate all the specimens prepared under the conditions of 400℃ substrate temperature and 0.2Pa oxygen pressure have a strong diffraction peak and high preferential orientation in the (002) crystallographic direction，but the diffraction peak of Cu doesn't appear. Results at room temperature showed that each of the samples had a blue band at about 460nm (2.71eV).The blue emission is attributed to the transition of electrons from the bottom of conduction band to zinc vacancy or from zinc interstitial to the top of valence band. The photoluminescence intensity of the emission luminescence increases as the oxygen pressure increases.
- thin films /
- Cu-doped ZnO /
- pulsed laser deposition /
- oxygen pressure /
- photoluminescence

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氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

通讯作者: 李清山, qslidu@126.com;

作者简介: 赵涛(1984-)，男，硕士研究生，主要从事纳米薄膜材料与功能元件的研究。

1. 曲阜师范大学物理工程学院, 曲阜 273165;
2. 鲁东大学, 烟台 264025

收稿日期: 2010-12-20
录用日期: 2011-01-09
网络出版日期: 2011-11-25

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(10974077);山东省自然科学基金资助项目(ZR2009GM035)

关键词:

摘要: 为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2=34.3附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。