微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命

高冬美; 陆绮荣; 韦艳冰; 黄彬

doi:10.3969/j.issn.1001-3806.2011.05.010

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微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命

高冬美 , 陆绮荣 , 韦艳冰 , 黄彬

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Citation:

微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命

1.
桂林理工大学机械与控制工程学院, 桂林 541004;
2.
桂林理工大学现代教育中心, 桂林 541004

作者简介: 高冬美(1981-)，女，硕士研究生，现主要从事信号处理、自动测试系统的研究。.

通讯作者: 陆绮荣, lqr@glite.edu.cn ;

基金项目:
广西省自然科学基金资助项目(0991253)
中图分类号: TN304.2

Minority carrier lifetime measurement for N-type 4H-SiC by means of the microwave photoconductivity decay method

1.
College of Mechanical and Control Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China;
2.
The Center of Modern Education Technology, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China

Corresponding author: LU Qi-rong, lqr@glite.edu.cn ;

CLC number: TN304.2

摘要: 为了更好地了解N型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,描述了其测试原理和实验装置,并讨论了不同的激发强度下,其少数载流子寿命的变化。结果表明,改变入射激光能量(即光子注入水平),样品电压峰值与激发强度成正比,对其载流子寿命几乎没有影响。该方法能方便快捷地测量载流子的寿命,对SiC材料性能的研究具有重要意义。
- 激光技术 /
- 少数载流子寿命 /
- 微波光电导 /
- 4H-SiC /
- 注入水平
Abstract: In order to understand the electrical property of N-type 4H-SiC better and evaluate its crystal quality, with laser technique and microwave photoconductivity measurement as a tool of the non-conductive and non-destructive characterization for semiconductors, the measurement principle was described and the experimental equipment was put forward. The dependence of the minority carrier lifetime on the excitation intensity was discussed. The results show that the changing of the laser pulse energy (i.e. the photon injection level) little affect the carrier lifetime of the specimen, its peak voltage is proportional to the excitation intensity. The method of carrier lifetime measurement is convenient and efficient and has a great significance for examination of the property of SiC material.
- laser technique /
- minority carrier lifetime /
- microwave photoconductivity /
- 4H-SiC /
- injection level

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微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命

通讯作者: 陆绮荣, lqr@glite.edu.cn;

作者简介: 高冬美(1981-)，女，硕士研究生，现主要从事信号处理、自动测试系统的研究。

1. 桂林理工大学机械与控制工程学院, 桂林 541004;
2. 桂林理工大学现代教育中心, 桂林 541004

收稿日期: 2010-09-28
录用日期: 2010-10-18
网络出版日期: 2011-09-25

基金项目: 广西省自然科学基金资助项目(0991253)

关键词:

摘要: 为了更好地了解N型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,描述了其测试原理和实验装置,并讨论了不同的激发强度下,其少数载流子寿命的变化。结果表明,改变入射激光能量(即光子注入水平),样品电压峰值与激发强度成正比,对其载流子寿命几乎没有影响。该方法能方便快捷地测量载流子的寿命,对SiC材料性能的研究具有重要意义。