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含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究

苑秋红 谢康 韩艳芬

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含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究

    作者简介: 苑秋红(1980- ),女,硕士,主要从事光子晶体的研究.E-mail:yuanqiuhong_2002@yahoo.com.cn.
  • 基金项目:

    国家杰出青年基金资助项目(60588502);国家自然科学基金资助项目(60607005)

  • 中图分类号: O734

Study on 1-D photonic crystal containing negative refraction material with impurity defects

  • CLC number: O734

  • 摘要: 为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析。采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式。结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负折射缺陷能够同时在全方位光子带隙和布喇格带隙中产生缺陷模。同时研究了掺杂方式、入射方向、缺陷厚度、缺陷位置、缺陷类型对缺陷模式的影响,并对含有两层缺陷的光子晶体进行研究,得到两缺陷层的距离与带隙产生的关系,即距离越近越容易产生缺陷模式,且缺陷模的深度越深。这对于制造新型的全方位滤波器是有指导作用的。
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-27
  • 录用日期:  2009-03-10
  • 刊出日期:  2010-03-25

含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究

    作者简介: 苑秋红(1980- ),女,硕士,主要从事光子晶体的研究.E-mail:yuanqiuhong_2002@yahoo.com.cn
  • 1. 电子科技大学光电信息学院, 成都, 610054
基金项目:  国家杰出青年基金资助项目(60588502);国家自然科学基金资助项目(60607005)

摘要: 为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析。采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式。结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负折射缺陷能够同时在全方位光子带隙和布喇格带隙中产生缺陷模。同时研究了掺杂方式、入射方向、缺陷厚度、缺陷位置、缺陷类型对缺陷模式的影响,并对含有两层缺陷的光子晶体进行研究,得到两缺陷层的距离与带隙产生的关系,即距离越近越容易产生缺陷模式,且缺陷模的深度越深。这对于制造新型的全方位滤波器是有指导作用的。

English Abstract

参考文献 (12)

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