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光纤耦合LD端面抽运Nd:GdVO4晶体材料热效应分析

董武威 李隆 史彭 甘安生 许启明

引用本文:
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光纤耦合LD端面抽运Nd:GdVO4晶体材料热效应分析

    作者简介: 董武威(1983-),男,硕士研究生,主要从事全固态激光技术研究..
    通讯作者: 李隆, lilong7211@126.com
  • 基金项目:

    陕西省工业攻关资助项目(2008K05-15);陕西省教育厅专项科研资助项目(07JK284)

  • 中图分类号:

    TN248.1

Thermal effect of Nd:GdVO4 crystal end-pumped by fiber coupled diode laser

    Corresponding author: LI Long, lilong7211@126.com ;
  • CLC number:

    TN248.1

  • 摘要: 为了研究半导体激光器端面抽运激光晶体产生的热效应问题,采用解析分析的方法研究端面抽运激光晶体的温升以及热形变量的大小.通过激光晶体工作特点分析,考虑到Nd:GdVO4晶体热传导各向异性的特点,采用各向异性传热的Poisson方程,得出了超高斯光束端面抽运Nd:GdVO4晶体温度场以及热形变场的一般解析表达式.并定量分析了超高斯光束不同阶次、不同光斑尺寸抽运时对于Nd:GdVO4晶体温度场以及热形变场的影响.结果表明,若半导体激光器的输出功率为30W,光学聚焦耦合器传输效率为8%,阶超高斯光束沿中心端面抽运掺钕离子原子数分数为0.012的Nd:GdVO4晶体,抽运面可获得419.3℃的最大温升,并产生0.711m的热形变.该结果对估算Nd:GdVO4晶体热焦距变化范围以及进行热不敏谐振腔设计具有理论指导作用.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-19
  • 录用日期:  2008-10-08
  • 刊出日期:  2009-12-25

光纤耦合LD端面抽运Nd:GdVO4晶体材料热效应分析

    通讯作者: 李隆, lilong7211@126.com
    作者简介: 董武威(1983-),男,硕士研究生,主要从事全固态激光技术研究.
  • 1. 西安建筑科技大学理学院, 西安, 710055;
  • 2. 西安建筑科技大学材料科学与工程学院, 西安, 710055
基金项目:  陕西省工业攻关资助项目(2008K05-15);陕西省教育厅专项科研资助项目(07JK284)

摘要: 为了研究半导体激光器端面抽运激光晶体产生的热效应问题,采用解析分析的方法研究端面抽运激光晶体的温升以及热形变量的大小.通过激光晶体工作特点分析,考虑到Nd:GdVO4晶体热传导各向异性的特点,采用各向异性传热的Poisson方程,得出了超高斯光束端面抽运Nd:GdVO4晶体温度场以及热形变场的一般解析表达式.并定量分析了超高斯光束不同阶次、不同光斑尺寸抽运时对于Nd:GdVO4晶体温度场以及热形变场的影响.结果表明,若半导体激光器的输出功率为30W,光学聚焦耦合器传输效率为8%,阶超高斯光束沿中心端面抽运掺钕离子原子数分数为0.012的Nd:GdVO4晶体,抽运面可获得419.3℃的最大温升,并产生0.711m的热形变.该结果对估算Nd:GdVO4晶体热焦距变化范围以及进行热不敏谐振腔设计具有理论指导作用.

English Abstract

参考文献 (24)

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