高级检索

ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究

王彩凤 李清山

引用本文:
Citation:

硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究

    作者简介: 王彩凤(1982- ),女,硕士研究生,主要从事纳米薄膜材料的制备及光电器件研究..
    通讯作者: 李清山, qsl@qfnu.edu.cn
  • 基金项目:

    山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)

  • 中图分类号: TN383+.2

Study on photoluminescence characteristic of zinc sulfide/porous Si composites

    Corresponding author: LI Qing-shan, qsl@qfnu.edu.cn
  • CLC number: TN383+.2

  • 摘要: 为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm~700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。
  • [1]

    NASRALLAH T B,AMLOUK M,BERNEDE J C,et al.Structure and morphology of sprayed ZnS thin films[J].Physics Status Solidi,2004,201(14):3070-3076.
    [2]

    VELUMANI S,ASCENCIO J A.Formation of ZnS nanorods by simple evaporation technique[J].Appl Phys,2004,A79(1):153-156.
    [3]

    MCLAUGHLIN M,SAKEEK H F,MAGUIRE P,et al.Properties of ZnS thin films prepared by 248nm pulsed laser deposition[J].A P L,1993,63(14):1865-1867.
    [4]

    JIU Zh X,ZHANG B L,YAO N.ZnS thin film deposited by pulsed lasers and its luminescent characteristic[J].Laser Technology,2004,28(6):620-624(in Chinese).
    [5]

    MOROZOVA N K,KARETNIKOV I A,PLOTNICHENKO V G,et al.Transformation of luminescence centers in CVD ZnS films subjected to a high hydrostatic pressure[J].Semiconductors,2004,38(1):36-41.
    [6]

    CHEN S Y,ZENG M G,WANG Sh J,et al.Fabrication of the ZnS thin film electroluminescence devices on silicon substrate[J].Journal of Xiamen University(Natural Scicence),2003,42(6):723-726(in Chinese).
    [7]

    BANDIC Z Z,PIQUETTE E C,MCCALDIN J O,et al.Solid phase recrystallization of ZnS thin films on sapphire[J].A P L,1998,72(22):2862-2864.
    [8]

    MCCAMY J W,LOWNDES D H,BUDAI J D,et al.Epitaxial ZnS films grown on GaAs(001) and(111) by pulsed-laser ablation[J].J A P,1993,73(11):7818-7822.
    [9]

    GOKARNA A,PAVASKAR N R,SATHAYE S D,et al.Electroluminescence from heterojunctions of nanocrystalline CdS and ZnS with porous silicon[J].J A P,2002,92(4):2118-2124.
    [10]

    XING D S,SHI J X,GONG M L,et al.Luminescence modulation of porous silicon-zinc sulfide nanocomposite by in situ synthesis of zinc sulfide[J].Chemical Journal of Chinese Universities,2004,25(1):24-26(in Chinese).
    [11]

    CANHAM L T.Silicon quantum wire array fabrication by electro-chemical and chemical dissolution of wafers[J].A P L,1990,57(10):1046-1048.
    [12]

    LIAO L Sh,BAO X M,MIN N B.Two kinds of photoluminescence spectra in porous silicon[J].Journal of Semiconductor,1995,16(2):145-148(in Chinese).
    [13]

    LIU Y L,LIU Y C,YANG H,et al.The optical properties of ZnO films grown on porous Si templates[J].J Phys,2003,D36(21):2705-2708.
    [14]

    ZHANG P,KIM P S,SHAM T K.Nanostructured CdS prepared on porous silicon substrate:structure,electronic,and optical properties[J].J A P,2002,91(9):6038-6043.
    [15]

    XU D Sh,GUO G L,GUI L L.Controlling growth and field emission property of aligned carbon nanotubes on porous silicon[J].A P L,1999,75(4):481-484.
    [16]

    FAN Sh Sh,CHAPLINE M G.Self-oriented regular arrays of carbon nanotubes and their field emission properties[J].Science,1999,283(5401):512-515.
    [17]

    GOKARNA A,BHORASKAR S V,PAVASKAR N R,et al.Optoelectronic characterization of porous silicon/CdS and ZnS systems[J].Physics Status Solidi,2000,A182(1):175-179.
    [18]

    CHEN Q W,ZHU D L,ZHU C.A way to obtain visible blue light emission in porous silicon[J].A P L,2003,82(7):1018-1020.
    [19]

    PROKES S M,FREITAS J A,Jr,SEARSON P C.Microluminescence depth profiles and annealing effects in porous silicon[J].A P L,1992,60(26):3295-3297.
  • [1] 王彩凤李清山胡波梁德春 . 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孔硅光电性质的影响. 激光技术, 2010, 34(6): 766-769. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2010.06.013
    [2] 杨亚军李清山刘宪云 . 多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究. 激光技术, 2007, 31(2): 166-168.
    [3] 马自侠李清山张立春赵风周曲崇霍艳丽 . 生长时间对氧化锌纳米棒发光性能的影响. 激光技术, 2012, 36(4): 501-503. doi: 10.3969/j.issn.1001-806.2012.04.016
    [4] 赵涛李清山董艳锋张立春解晓君 . 氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响. 激光技术, 2011, 35(6): 781-783,799. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.06.016
    [5] 霍艳丽李少兰马自侠 . 溶液浓度对ZnO纳米棒形貌和发光的影响. 激光技术, 2012, 36(6): 776-779. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.06.016
    [6] 陈玉平 . 白光照明谱域光学相干层析成像研究. 激光技术, 2014, 38(3): 372-374. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2014.03.019
    [7] 纠智先张兵临姚宁 . ZnS薄膜脉冲激光沉积及其发光特性. 激光技术, 2004, 28(6): 620-624.
    [8] 杨爱玲王晶郑荣儿孟继武 . 有机白光LED. 激光技术, 2004, 28(1): 68-73.
    [9] 陈传忠包全合姚书山雷廷权 . 脉冲激光沉积技术及其应用. 激光技术, 2003, 27(5): 443-446.
    [10] 王泽敏戢明曾晓雁 . 脉冲激光沉积Al膜的沉积模式及沉积速率研究. 激光技术, 2006, 30(3): 265-267,310.
    [11] 胡少六江超何建平王又青 . 脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜. 激光技术, 2004, 28(5): 463-465,468.
    [12] 陈传忠姚书山包全合张亮雷廷权 . 脉冲激光沉积羟基磷灰石薄膜的研究现状. 激光技术, 2004, 28(1): 74-77.
    [13] 于业梅李清山李新坤徐言东蒙岩峰 . Cu掺杂ZnO薄膜光学性质的研究. 激光技术, 2010, 34(4): 456-458,528. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2010.04.007
    [14] 余丽芳叶玉堂吴建平 . 大口径光学薄膜激光预处理系统缺陷检测控制. 激光技术, 2012, 36(2): 188-190. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2012.02.010
    [15] 郝世明聂祚仁 . 利用激光沉积研究镧钼阴极表面发射机制. 激光技术, 2008, 32(4): 357-359,409.
    [16] 雷洁红段涛闫正洲邢丕峰 . 沉积条件对氢化锂薄膜形貌和沉积速率的影响. 激光技术, 2011, 35(4): 535-538. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.04.023
    [17] 李勇张辉周小芳张鹏翔 . 氧压对Zn1-xAlxO薄膜结构的影响及激光感生电压效应. 激光技术, 2011, 35(1): 130-132,140. doi: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.01.035
    [18] 曹小龙车永莉王伟李清山吴福全 . 多孔氧化铝模板的制备及性质研究. 激光技术, 2006, 30(4): 415-417.
    [19] 何晓红阮于华 . 一种面向大规模光学器件生产的数据采集系统. 激光技术, 2015, 39(1): 57-60. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2015.01.011
    [20] 江孝伟朱震郑盛梅 . 利用金属光栅提高LED发光效率的研究. 激光技术, 2022, 46(3): 368-373. doi: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2022.03.011
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  18308
  • HTML全文浏览量:  12445
  • PDF下载量:  183
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-17
  • 录用日期:  2007-03-29
  • 刊出日期:  2008-04-25

硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究

    通讯作者: 李清山, qsl@qfnu.edu.cn
    作者简介: 王彩凤(1982- ),女,硕士研究生,主要从事纳米薄膜材料的制备及光电器件研究.
  • 1. 滨州学院 物理与电子科学系 滨州 256603;
  • 2. 曲阜师范大学 物理工程学院 曲阜 273165;
  • 3. 鲁东大学 物理系 烟台 264025
基金项目:  山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)

摘要: 为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm~700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回