中频溅射技术制备镱铒共掺Al2O3光波导

宋琦; 宋昌烈; 高景生; 李成仁; 李淑凤; 李建勇; 李国卿

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ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

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中频溅射技术制备镱铒共掺Al2O3光波导

宋琦 , 宋昌烈 , 高景生 , 李成仁 , 李淑凤 , 李建勇 , 李国卿

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Citation:

中频溅射技术制备镱铒共掺Al2O3光波导

1.
大连理工大学, 物理系, 大连, 116024

作者简介: 宋琦(1980- ),男,硕士研究生,主要从事有源光波导放大器件的研究..

通讯作者: 宋昌烈, songcl@dlut.edu.cn ;

基金项目:
国家自然科学基金资助项目(69889701);辽宁省科技厅基金资助项目(20022110);辽宁省教育厅基金资助项目(202123198)
中图分类号: TN252

Yb3+/Er3+ co-doped Al2O3 optical waveguide fabricated by middle frequency sputter

1.
Department of Physics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China

Corresponding author: SONG Chang-lie, songcl@dlut.edu.cn ;

CLC number: TN252

摘要: 在硅单晶(100)衬底上用热氧化法氧化一层SiO2做缓冲层,在高纯铝靶上镶嵌金属Yb,Er,然后用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺杂氧化铝薄膜。讨论了靶电压及沉积速率随氧流量的变化的磁滞回线效应,分析得出了沉积氧化物薄膜的最佳氧流量。在室温下检测到了薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),并在光学掩模下用BCl3离子束对薄膜样品进行刻蚀,得到条形光波导。
- 中频溅射 /
- 镱铒共掺 /
- 光致发光光谱 /
- 光波导
Abstract: SiO2 is formed on the monocrystalline silicon(100) substrate by means of high temperatare oxidation,then Yb and Er are embeded in highly pure aluminum,and Yb,Er-co-doped Al2O3 film is produced with middle frequeney sputter technique.The influence of target voltage and deposit rate varying with oxygen flow is discussed.The optimized oxygen flow of deposite oxide film is presented.A strong photoluminescence at 1535nm is detected at the room temperature.Optical film is carved by BCl3 ion beam under optical mask to form square optical waveguide.
- middle frequency sputter /
- Yb3+/Er3+ co-doped /
- photoluminescence /
- waveguide

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中频溅射技术制备镱铒共掺Al2O3光波导

通讯作者: 宋昌烈, songcl@dlut.edu.cn;

作者简介: 宋琦(1980- ),男,硕士研究生,主要从事有源光波导放大器件的研究.

1. 大连理工大学, 物理系, 大连, 116024

收稿日期: 2004-04-08
录用日期: 2004-06-25
网络出版日期: 2005-07-25

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(69889701);辽宁省科技厅基金资助项目(20022110);辽宁省教育厅基金资助项目(202123198)

关键词:

摘要: 在硅单晶(100)衬底上用热氧化法氧化一层SiO2做缓冲层,在高纯铝靶上镶嵌金属Yb,Er,然后用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺杂氧化铝薄膜。讨论了靶电压及沉积速率随氧流量的变化的磁滞回线效应,分析得出了沉积氧化物薄膜的最佳氧流量。在室温下检测到了薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),并在光学掩模下用BCl3离子束对薄膜样品进行刻蚀,得到条形光波导。