半导体激光器远场光强特性分析

薛灏; 张全; 李鹏

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半导体激光器远场光强特性分析

薛灏 , 张全 , 李鹏

文章导航 > 激光技术 > 2004 > 28(6): 661-663

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Citation:

半导体激光器远场光强特性分析

1.
浙江大学, 光电系, 光电子所, 杭州, 310027

作者简介: 薛灏(1975- ),男,硕士研究生,主要从事光纤耦合方面的研究工作.E-mail:911@zjip.com.

基金项目:
陕西省教育厅专项基金资助项目(04JK121)
中图分类号: TN248.4

The analysis of far-field light intensity characteristic of laser diode

1.
Institute of Photonics, Department of Optical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
CLC number: TN248.4

摘要: 利用傅里叶变换及坐标变换的方法推导了处于空间任意位置的半导体激光器远场模场表达式,在此基础上对半导体激光器相对于原点发生平移及转动情况下的远场光强分布进行了分析。为半导体激光器的发散角、功率分布等参数的测试提供了理论基础。
- 远场 /
- 模场 /
- 分布 /
- 坐标变换
Abstract: The expression of the far-field light intensity of LD (laser diode) at any spatial location is deduced with Fourier transformation and conversion of coordinates.On this basis,the far-field light intensity distribution is analyzed while the posture of LD relative to origin O has rotated or translated.The theoretical basis has been provided for the testing of parameters like disperse angle and distribution of light intensity etc.of LD.
- far-field /
- mode /
- distribution /
- conversion of coordinates

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