水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究

刘国军; 徐莉; 史全林; 王喜祥; 张千勇

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ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

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水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究

刘国军 , 徐莉 , 史全林 , 王喜祥 , 张千勇

文章导航 > 激光技术 > 1994 > 18(4): 220-224

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水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究

1.
长春光学精密机械学院, 长春, 130022

作者简介: 刘国军,男,1963年1月出生.讲师,博士.现从事半导体材料、器件研制工作;徐莉,女,1962年8月出生.讲师.现从事半导体材料、器件研究工作.;刘国军,男,1963年1月出生.讲师,博士.现从事半导体材料、器件研制工作;徐莉,女,1962年8月出生.讲师.现从事半导体材料、器件研究工作..

Research on growth rate uniformity in horizontal MOCVD systems

1.
Changchun College of Optics and Fine Mechanics

摘要: 本文讨论了影响生长速率的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸汽压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了讨论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.
- MOCVD /
- 生长速率 /
- 均匀性
Abstract: This paper discusses the main factor of affecting growth rate in MOCVD system,such as the flow rate of carriers gas and organometallic source, position of substrate,doping and undoping, etc.The experimental results are discussed and comparedwith other literatures.The lateral uniformity problem has been emphasizes.
- MOCVD /
- growth rate /
- uniformity

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