提高硅光探测器量子效率技术与应用

文雪冬; 刘兴桂; 苏伯玖

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ISSN 1001-3806CN 51-1125/TN 网站地图

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提高硅光探测器量子效率技术与应用

文雪冬 , 刘兴桂 , 苏伯玖

文章导航 > 激光技术 > 1993 > 17(5): 301-302

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提高硅光探测器量子效率技术与应用

1.
西南技术物理研究所, 610041

作者简介: 文雪冬,男,1941年12月出生.研究员级高工.现从事硅光电探测器研究;刘兴桂,女,1851年12月出生.工程师.现从事光电探浦器研究;苏伯玖,男,1938年12月出生.工程师.现从事光电探侧器研究.;文雪冬,男,1941年12月出生.研究员级高工.现从事硅光电探测器研究;刘兴桂,女,1851年12月出生.工程师.现从事光电探浦器研究;苏伯玖,男,1938年12月出生.工程师.现从事光电探侧器研究.;文雪冬,男,1941年12月出生.研究员级高工.现从事硅光电探测器研究;刘兴桂,女,1851年12月出生.工程师.现从事光电探浦器研究;苏伯玖,男,1938年12月出生.工程师.现从事光电探侧器研究..

The technique for enhancing quantum efficiency of Si photodetector and its application

1.
Southwest Institute of Technical Physics

摘要: 本文介绍了提高硅光探测器量子效率的半球形点阵技术.介绍了运用这一技术制作的P-I-N和RAPD硅光探测器.
Abstract: In this paper,the hemispherical grating technique,which is effectively used in enhancing quantum efficiency of Si photodetector,is introduced. By using this technique,PIN and RAPD photodetector are fabricated.

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