1.3μm行波式半导体激光放大器

罗斌; 陈建国; 卢玉村

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1.3μm行波式半导体激光放大器

罗斌 , 陈建国 , 卢玉村

文章导航 > 激光技术 > 1992 > 16(4): 206-209

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Citation:

1.3μm行波式半导体激光放大器

1.
四川大学光电科学技术系, 成都
基金项目:
国家教委博士点基金;自然科学基金

1.3μm travelling-wave semiconductor laser amplifier

1.
Department of Optoelectronics Science and Technology, Sichuan University

摘要: 利用多级尝试法对主动监控法进行优化,获得了两端面剩余模式反射率几何平均值小于3×10-4的行波式半导体激光放大器,并在1.3μm波段获得了20dB的信号增益。
Abstract: With the aid of multi-step trials,the active monitoring method adopted to control the deposition of the AR coatings on the facets of the semiconductor lasers has been optimized.As a result,a travelling-wave semiconductor amplifier with an average facet reflectivity of less than 3×10-4 has been obtained,and 20dB signal gain at 1.3μm has been observed.

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