半导体激光器的发展
Development of semiconductor laser
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摘要: 本文主要介绍Ⅲ-Ⅴ族元素制成的半导体激光器,如AlGaAs和InGaAsP等的发展情况。它辐射近红外光,在军事领域中的应用潜力已受到各国军方的广泛重视。
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Key words:
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[1] Semiconductor Laser and Heterojunction LEDs, 1977年出版. [2] Laser&Appl.,1984, 1, P.61-67. [3] Optoelectronice in Engineering Processing of the 5th International Congress Laser, 1981, P.337-347. [4] Laser&Appl.,1984, 11, P. 89-92. [5] GaAs/GaAIAs Lasers-state of art, SPIE, 1980, Vol.239. [6] Laser Focus, 1984, 3,P.44-55. [7] High Power, Single Mode A1GaAs Laser Diode, Optical Engineering,1982, Vol. 21, No. 6,(译文见《国外兵器技术》光学类137号). [8] Asian Defense Journal Electronics, 1985, 1, P.94-95. [9] 《兵器激光》,1984年,第6期,第7页. [10] 《半导体光电》,1984年,第5卷,第3期,第20页.
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