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半导体激光器的发展

郭晓燕

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半导体激光器的发展

    作者简介: 郭晓燕,女,1961年11月出生,1983年毕业于北京工业学院光学系激光专业..

Development of semiconductor laser

  • 摘要: 本文主要介绍Ⅲ-Ⅴ族元素制成的半导体激光器,如AlGaAs和InGaAsP等的发展情况。它辐射近红外光,在军事领域中的应用潜力已受到各国军方的广泛重视。
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-02-15
  • 刊出日期:  1987-03-25

半导体激光器的发展

    作者简介: 郭晓燕,女,1961年11月出生,1983年毕业于北京工业学院光学系激光专业.
  • 1. 北方科技信息研究所

摘要: 本文主要介绍Ⅲ-Ⅴ族元素制成的半导体激光器,如AlGaAs和InGaAsP等的发展情况。它辐射近红外光,在军事领域中的应用潜力已受到各国军方的广泛重视。

English Abstract

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