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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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半导体GaAlAs激光器工作寿命的研究

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半导体GaAlAs激光器工作寿命的研究

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出版历程
  • 收稿日期:  1983-04-15
  • 刊出日期:  1983-09-25

半导体GaAlAs激光器工作寿命的研究

摘要: 本文论述了半导体激光器工作寿命的计算原理,给出我们的质子轰击条型GaAlAs DH激光器室温连续工作104~105小时的实验结果,并分析了这种激光器的失效机理。

English Abstract

参考文献 (6)

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