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ISSN1001-3806CN51-1125/TN 网站地图

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砷化镓场效应晶体管的高增益光探测

徐爱强译 胡守本译 陈天玉校

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砷化镓场效应晶体管的高增益光探测

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出版历程
  • 刊出日期:  1983-01-25

砷化镓场效应晶体管的高增益光探测

摘要: 本文探讨了砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)对于一定频率的调制光强信号的响应。在光通讯所需的频率上能够获得高的交流响应度:对100兆赫可以达到大于6安/瓦,等效噪声功率小于1012瓦/赫兹1/2。频率响应的斜率取决于光偏置功率——一种被认为是俘获所引起的效应。GaAs FET光探测器在低的偏置电压下具有高的响应度,从而可以弥补光通讯中现用的PIN和雪崩光电二极管光探测器的性能之不足。

English Abstract

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