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从熔体生长晶体时固体杂质的捕获理论

卢中尧译 ,  徐天华校

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文章导航 > 激光技术  > 1979 >  3(1): 46-54
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shu
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shu

从熔体生长晶体时固体杂质的捕获理论

  • 摘要: 讨论了在生长前沿与被它排斥的外来粒子之间的微小缝隙中的结晶条件。斥力决定于隙中的分子力,而引力由粘滞熔体流带动粒子的力所决定。近似计算了缝隙的形状,求出了临界生长速率Vc,从这一临界值开始,半径为R的球形粒子被生长中的晶体捕获。对于小粒子,即Rλ2/l的情况,临界速率Vc=(0.14B3/ηR)(α/B2R)1/3,其中,λ=(Ωα/ΔSG)1/2,l=(B3Ω/ΔSG)1/4,这里的Ω——熔体的分子比容;α——熔体-晶体表面的比自由能;η——熔体粘滞度;B3——同厚层液体相比较确定薄层熔体中化学势下降的常数,(η≥10-14尔格);G*——生长前沿上的温度梯度。对于大粒子,即Rλ2/l时,Vc=0.15B3/ηRl。
      Key words:
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出版历程
  • 刊出日期:  1979-03-25

从熔体生长晶体时固体杂质的捕获理论

  • 网络出版日期: 1979-03-25

摘要: 讨论了在生长前沿与被它排斥的外来粒子之间的微小缝隙中的结晶条件。斥力决定于隙中的分子力,而引力由粘滞熔体流带动粒子的力所决定。近似计算了缝隙的形状,求出了临界生长速率Vc,从这一临界值开始,半径为R的球形粒子被生长中的晶体捕获。对于小粒子,即Rλ2/l的情况,临界速率Vc=(0.14B3/ηR)(α/B2R)1/3,其中,λ=(Ωα/ΔSG)1/2,l=(B3Ω/ΔSG)1/4,这里的Ω——熔体的分子比容;α——熔体-晶体表面的比自由能;η——熔体粘滞度;B3——同厚层液体相比较确定薄层熔体中化学势下降的常数,(η≥10-14尔格);G*——生长前沿上的温度梯度。对于大粒子,即Rλ2/l时,Vc=0.15B3/ηRl。

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